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滤波器在抗EMI中的应用及发展 |
| 发布时间:2005年11月8日 点击次数:3205 |
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----而今,如何降低甚至消除电子设备的EMI已成为全球电子信息业及消费者普遍关注的问题,世界上为此成立了无线电干扰国际特别委员会(CISPR),美、德、日诸国也分别建立了专门组织FCC、VDE和电磁环境工程研究会,他们对电子仪器及测量设备的抗EMI性能要求越来越高,规定非经严格检验的产品不得出厂和上市。随着我国经济迈入国际范畴,电磁干扰(又称电磁噪声)问题已摆在我们面前。 ----利用近年来发展的铁氧体——陶瓷叠层共烧技术,可以将若干个铁氧体叠层电感器和陶瓷叠层电容器集成在一起,经过共绕制构成截止特性锐敏的片式电磁干扰滤波器。根据电路特性选择适当的滤波器可以得到令人十分满意的抗EMI效果,特别适用于抑制数字电子设备及高速数据总线产生的噪声。EMI滤波器按构成元件可分为电感器、电容器、LC复合型滤波器和电容性可变电阻器四种;按构成元件材料及生产工艺的不同,则可分为陶瓷型、石英晶体型、介质型和声表面波型EMI滤波器;按具体用途又可分为电源线路用和信号线路用EMI滤波器两大类。下表列出了有代表性的几种EMI滤波器及其特点。 ----LC复合型陶瓷滤波器是由铁氧体电感器L和陶瓷电容器C按不同组合形式构成的一类多功能产品,其中心频率、通带、振幅、延迟等特性可根据电路要求灵活设计,所适应范围相当宽,广泛应用于音、视频家电、通信及办公自动化设备的EMI抑制,但最初其频率较低、体积较大。进入90年代后,由于陶瓷叠层印刷技术的发展,国外先后开发出无绳电话用254MHz和380MHz带通滤波器、便携电话用700~950MHz滤波器、小功能对讲机用430MHz低通滤波器以及数字无绳电话用1.9GHz带通滤波器等LC复合型片式叠层陶瓷产品,其内藏屏蔽层抗干扰强,无需调整即可适应当前200MHz~1.5GHz高频化需求。今后的发展趋势是进一步高频化(2GHz以上)、微型化、组件化(内藏延迟线、多层谐振器、与滤波器一体化的放大器和混频器等)和低成本化。 ----单片晶体滤波器(MCF)是在石英基片表面配置若干对金属电极而构成的带通或带阻滤波器。它利用压电效应的能陷入理论,选择电极振子的几何尺寸、返回频率和电极振子间距控制超声波的声学耦合,从而达到滤波之目的。其特点是频率选择度十分陡峭、损耗低、稳定性好、阻带衰减高,现已在移动通信设备中大量使用,是必不可少的初级中频滤波器,对提高整机灵敏度和抗干扰能力有重要作用。国外MCF产品的实用化水平为中心频率数MHz~150MHz,带宽0.001~0.1%,频道间隔12.5~25kHz,最小封装尺寸为8×8×3.2mm,重仅0.4g。MCF的发展方向是开发新型压电材料、扩展带宽、减少带内延时波动、增大带外衰减、扩充和提高中频点及线性度、封装单片尺寸进一步小型化和片式化。 ----利用介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点设计制作的EMI介质滤波器,由数个1/4波长型谐振器纵向多级串联或并联的梯形线路构成。其显著特点是插入损耗小、耐功率性好、带宽窄,特别适合便携电话、汽车电话、无线电台、无绳电话以及一体化收发双工器等的级向耦合滤波。国外生产最多的是800~1000MHz范围内的系列EMI介质滤波器,其技术指标为插损2~3dB,波纹小于1dB,电压驻波比约1.5,带外抑制在规定频段内可达20dB以上,一些特殊要求点可达60dB左右。滤波特性优良。其开发方向是采用新型介质材料和其它谐振模式,设计制作新型的微型化、片式化低插损、高衰减、高性能的EMI介质滤波器。 ----声表面波(SAW)滤波器曾一度广泛用于工作在20MHz以上频段的次中频滤波。它在抑制电子设备高次谐波、镜像信息、发射漏泄信号以及各类寄生杂波干扰等方面起到了良好的作用。其特点是可灵活设计、模拟/数字兼用、群延迟时间偏差和频率选择特性优良、输入输出阻抗误差小。近年来已将SAW滤波器片式化,重约0.2g;另外由于采用了新的晶体材料和最新精细加工技术,致使SAW器件的使用上限频率提高到2.5GHz,这必将促进SAW滤波器在抗EMI领域获得更广泛的应用。低插损技术与片式化封装是这类EMI滤波器目前和今后一段时间内的研究开发方向。 表:有代表性的几类EMI滤波器
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