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193纳米光刻将延至22纳米工艺! |
| 发布时间:2004年12月20日 点击次数:395 |
| 来源:半导体国际 作者: |
分析师指出,SPIE研讨会中的最新发展,不仅确认湿浸式193纳米光刻科技具向下延伸到45纳米工艺结点的解决方案外,更暗示157纳米光刻科技或深紫外光（EUV）光刻科技,恐将被迫打入冷宫,事实上,荷商ASML日前已暗示该公司将把157纳米光刻科技列为备选方案,而倾全力配合研发深紫外光科技。 在半导体厂商方面,除已明确表态将绕道157纳米光刻技术蓝图,直接从193纳米光刻技术转进深紫外光技术的半导体龙头英特尔（Intel）以外,尚有硅片代工龙头台积电日前表示,将首先采用湿浸式193纳米光刻设备,借以导入先进工艺生产。 然而,仍有德州仪器（TI）、意法（STMicroelectronics）等半导体厂商认为,157纳米光刻科技仍有可为之处,不仅深紫外光光刻设备的研发恐怕缓不济急,也认为193纳米光刻技术可能无法按照规划向下延伸至先进工艺,不过,夹处两大阵营之间,日子最难过的恐怕仍是光刻设备供应商。 |
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