 |
 |
 导航:老古开发网首页→文章索引→索引第342页 →文章分类→半导体→第7页→[新型装片和传送装置]
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
第12038篇:新型装片和传送装置 |
| 发布时间:2004年7月27日 点击次数:398 |
| 来源: 作者: |
Entegris www. Entegris.com |
|
|
|
 欢迎进入老古论坛进行讨论
[半导体] 相关文章:  45nm铜工艺 面临的挑战简介: 摘要： 本文综述了铜工艺即将面临的各种变化，包括扩散阻障层（barrier）、电镀添加剂、覆盖层以及与多孔超低k电介质之间的整合等。 随着半导体向45nm工艺的深入发展，铜工艺技术不可避免地要发生一些变化。TaN扩散阻障层物理气相沉积（PVD）技术可能将被原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）技术所取代，之后可能还会引进钌阻障层技术。钌阻障层技术不再需要电镀种子层，但是其发展状况将取决于研究结果的进展程度。 电镀槽中的有机“添加剂”也可能会有所变...... 纳米技术 ── 商机何在？纳米印刷微细图形加工展现独特技术优势X光孔隙探测系统：发现隐蔽的缺陷Sexy旋转涂布溶液 |
|
|
|
下一个:
上一个: