据EE Times网站报道，创业公司Nantero近日宣布其基于碳纳米管的非易失性存储器将于2007年推向市场。

据该公司总裁兼CEO Greg Schmergel称，Nantero的称为NRAM的存储器结合的SRAM的高速度和DRAM的高存储密度。

该公司不久前宣布了其22纳米存储器开关的测试结果，该存储器开关的读写周期为3纳秒，非常有潜力超越现今任何存储器的读写速率。有关这项技术的美国专利号为6,706,402。该公司已申请了80项专利，其中已获批准的有12项。

在LSI出售其制造业务给安森美半导体之前，LSI一直是Nontero的代工伙伴。今年伊始，Nantero就一直在亚洲和欧洲寻找代工伙伴以代替LSI。

据Schmergel称，NRAM具有巨大的应用潜力，而其最大的应用将是在消费电子产品上。

相关联接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml;jsessionid=J0LIYQNAAK5ZWQSNDBESKHA?articleID=185300919