中芯国际集成电路制造有限公司宣布已经成功开发基于0.35微米可擦写存储器的非接触性智能卡技术。这项技术的特色是可有效缩小非接触性智能卡的芯片面积最多达百分之五十。
　　归功于最近开发出的高压P沟道MOS场效应晶体管和金属-绝缘体-金属电容 (MIM capacitors),使这个新制程技术可以使智能卡芯片面积更小，功能更强大。该新技术的应用广泛,包括可接触和非接触的智能卡,如交通卡,身分证,银行卡等。
　　中芯的客户中已经有数家成功的运用这一非接触性智能卡技术生产出合格产品。
　　“从市场规模及可预期的各种应用来看,尤其是对于中国市场,这是一个具有重大意义的关键技术。”中芯国际存储器技术发展中心副总裁李若加先生说, “目前我们正致力于开发0.18微米可擦写存储器技术,以协助客户不断提升竞争力。”
　　中芯国际存储器技术发展中心负责开发各种动态随机存储器,快闪存储器,嵌入式快闪存储器,先进的可擦写存储器智能卡,液晶显示器高压驱动芯片,LCOS显示器芯片,以及CMOS图像传感器等。