STS研发成功新型300mm DRIE等离子源

据Semiconductor Reporter网站报道，Surface Technology Systems plc(STS)近期宣布，公司研发成功了应用于大量300mm圆片工艺制程深反应离子刻蚀(DRIE)的新型等离子源。

DRIE是一项硅微机械技术，自发明以来，广泛应用于MEMS行业已经有10年时间，STS期望该技术可以广泛应用于圆片互联以及其他3D IC制造技术。

在MEMS客户仍广泛采用150mm或200mm圆片制程的同时，大多数主流半导体制造商已开始采用300mm圆片制程以减少其单位成本，公司CTO Leslie Lea表示，STS努力研发新型的刻蚀设备、提供300mm制程解决方案，以满足客户的需求。