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STS研发成功新型300mm DRIE等离子源 |
| 发布时间:2006年8月23日 点击次数:381 |
| 来源:SEMI 作者: |
据Semiconductor Reporter网站报道,Surface Technology Systems plc(STS)近期宣布,公司研发成功了应用于大量300mm圆片工艺制程深反应离子刻蚀(DRIE)的新型等离子源。 DRIE是一项硅微机械技术,自发明以来,广泛应用于MEMS行业已经有10年时间,STS期望该技术可以广泛应用于圆片互联以及其他3D IC制造技术。 在MEMS客户仍广泛采用150mm或200mm圆片制程的同时,大多数主流半导体制造商已开始采用300mm圆片制程以减少其单位成本,公司CTO Leslie Lea表示,STS努力研发新型的刻蚀设备、提供300mm制程解决方案,以满足客户的需求。 相关链接（英文）： |
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