据EE Times网站报道，英特尔目前正在研发一种三闸晶体管，预计到2009年32纳米工艺中可实现量产。届时，英特尔处理器的能耗将会降低35%。

英特尔技术研发人员称，英特尔已经成功地把高K电介质、金属栅电极以及应变硅整合到这个新的晶体管中。公司在进一步压缩晶体管体积的同时，还可进一步提高处理性能并防止电流泄漏。英特尔部件研发和技术部门主管兼制造部门副总裁Mike Mayberry表示，随着晶体管节点设备变得越来越小，上述新技术确实能解决诸多技术难题。

Mayberry称，虽然英特尔可马上将上述新技术投入生产，但目前还不打算这样做，而计划等到2009年公司转入32纳米工艺或2011年转入22纳米工艺时再投入使用。他说：“目前这些技术已达到成熟阶段，因此已可当作产品开发的技术选择。”

英特尔称，与目前的65纳米晶体管相比，三门技术将使芯片处理速度提高45%，电能消耗减少35%。

英特尔的这项新技术还可能会进一步延伸摩尔定律。Mayberry说：“这将是采用45纳米或更小的32纳米或22纳米工艺生产芯片的一种选择，这给了我们信心，继续把摩尔定律延伸至下一个十年。”　

英特尔表示，今年第三季度公司将生产更多的采用65纳米工艺的芯片，2007年公司将向45纳米,2009年将向32纳米工艺移植。

相关链接（英文）：http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=189400035