据Reed-Electronics网站报道，NEC Electronics与NEC近期发布了一项新的器件技术，可以实现系统LSI低功耗和高运转性能。器件采用55nm制程工艺设计。该技术的主要特征表现为：1)高k材料的阈值控制，2)高载流子迁移率，3)更合理的节距设计规则。

为了采用55nm设计规则，公司开拓式的采用了浸入式光刻工艺。这可以使金属层互连节距减小到160nm，一个SRAM单元尺寸仅为0.432平方微米。该技术的晶体管集成度是现行90nm工艺的2.5倍。

UltimateLowPower(TM)是一个新器件技术和电路技术的组合，例如电压可变能源供给技术可以十倍的延长电池寿命。

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http://www.reed-electronics.com/semiconductor/articleXml/LN398235628.html