据EE Times网站报道，ST力推相变存储技术为最可能成功的闪存技术，并声称将开发45纳米相变存储器的量产技术。目前该公司已推出基于90纳米工艺的128Mb相变存储器样品。

ST负责技术与制造的执行副总裁Laurent Bosson日前在一个会议上向金融分析师们表示，2008年，基于45纳米或者32纳米技术的，容量为几个Gb的相变存储器芯片将被生产出来。

ST对于相变存储器的研究始于2002年，其技术来自于能量转换器件公司（ECD）的全资子公司Ovonyx Inc.的授权。Ovonic指出了相变存储器存储媒介可在晶态和非晶态之间相变，其主要应用的材料为硫族合金，比如碲化锑或碲化锗等。

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http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=188500612