 |
 |
 导航:老古开发网首页→文章索引→索引第2559页 →文章分类→模拟电路→第38页→[硅锗晶体管突破500GHz]
|
| | -文章搜索 - 最新文章 - | |
第10563篇:硅锗晶体管突破500GHz |
| 发布时间:2006年10月20日 点击次数:807 |
| 来源: 作者: |
来自IBM和佐治亚技术学院的一个研究小组展示了运行频率超过500GHz的异质结SiGe（硅锗）双极晶体管。该研究小组表示,尽管这一结果是用液态氦将晶体管冷却到4.5K（-451°F）获得的,但同样的器件在室温条件下可工作于350GHz,而且晶体管若经优化可接近太赫的室温速率。
|
|
|
|
 欢迎进入老古论坛进行讨论
[模拟电路] 相关文章:  增强内部补偿开关的陶瓷输出电容器简介: 把补偿元件和电源控制器及降压稳压器的电源开关集成在一起，就能减少元件和焊点数量，由此把印制电路板面积缩至最小，提高可靠性，并消除组装错误。但是，集成也限制了设计者的输出滤波元件选择范围。图1a呈现了一种典型的开关稳压器，它基于Texas Instruments 公司的 TPS5430。图1b中的方框区显示了这种IC内部的小信号等效电路的简化版，它包含误差放大器E 1 、无源补偿元件、压控式电压源E 2 （它代表调制器和电源开关）。IC外部的支持元件包括输出滤波元件及其寄生电阻、...... 使用少量无源元件的相位序列指示器圣邦微推出250MHz带宽视频运算放大器SGM8051/2/3/4/5Avago为户外电子标志和信号灯应用推出新型高性能超亮度椭圆形LED飞思卡尔将ADC及5V操作引入低端S08MCU系列 |
|
|
|
下一个:
上一个: