据中电网报道,全球第一大DRAM制造商三星电子原来预期,在2006年第二季初80纳米制程产品应开始小量供货。但为了避免旺季来临时,因80纳米制程转换遇到瓶颈而丧失市场,三星临时更换投片策略,将先行挪出8英寸厂产能采用0.11微米制程来接替,待需求转弱时再投入80纳米制程量产;目前初步估计最快也要等到2007年第一季左右,80纳米制程才有产品产出,但可预期的是,全球DRAM市场将因三星的错估制程转换顺畅度而大受影响。

据媒体报道,三星电子转进90纳米制程时间已几乎长达1～2年,且制造良率相当稳定,因此认为要进入80纳米制程并非难事,原本估计2006年4月就会有比90纳米的C代产品更进一步,采用80纳米所制造的D代产品出现;不过,由于80纳米并非如当初想象容易,导致4月起迄今仅能采90纳米制程投产DRAM。

但正因80纳米出现瓶颈,因此导致这部分原本所估算新增产能,到现在迟迟无法开出,才会造成全球DRAM市场供货持续处于吃紧状态,而面对一连串市场需求旺季,三星立即做出决定,将改由8英寸厂重担重任,先用旧的0.11微米制程于8英寸厂投产,而所生产商品则先称之为D代商品,而接下来到80纳米时所生产商品,才会称之为E代DRAM产品。

三星当前虽有12英寸晶圆厂,且也均已营运相当长一段时间,照理来说如将0.11微米制程用在12英寸厂应无太大问题,但由于当下12英寸厂大多已转近90纳米制程,且更重要的在于12英寸厂对于三星来说大多需生产较高容量的DRAM或NAND Flash商品,在此之际三星根本无多余12英寸厂可用于投产80纳米,因而才会选择采用0.11微米制程投入8英寸厂量产标准型DRAM,不过众所皆知这应仅是在此赶工时期的权宜之计。

DRAM厂指出,就连全球制程可说是领先群雄的三星,到了80纳米制程似乎也有些许困难,也难怪其余DRAM厂在当下无论是沟槽式（Trench）或堆栈式（Stack）的DRAM厂,在由90纳米制程进入到70纳米制程时,也均遇上同样问题,造成近来全球DRAM市场供货会如此吃紧。