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单片开关电源瞬态干扰及音频噪声抑制技术 |
| 发布时间:2006年5月27日 点击次数:970 |
| 来源:电子技术应用 作者:石家庄市河北科技大学(050054) 沙占友 薛树琦 唱春 |
摘要:为确保单片开关电源正常工作,必须在电路设计和制造工艺上采取相应措施,有效地抑制瞬态干扰及音频噪声,为此阐述其抑制方法与改进电路。 关键词:单片开关电源 瞬态干扰 音频噪声 抑制 电磁兼容性 本文介绍抑制TOPSwitch和TinySwitch系列单片开关电源瞬态干扰及音频噪声的方法,这对提高其电磁兼容性(EMI)至关重要。 1 抑制瞬态干扰 瞬态干扰是指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬间干扰信号,其特点是作用时间极短,但电压幅度高、瞬态能量大。 1.1 瞬态电压的特点 瞬态电压的两种典型波形分别如图1(a)、(b)所示。(a)图是由国际电工委员会制定的IEC1000-4-5标准中给出的典型浪涌电压波形,VP为浪涌电压的峰值,通常选VP=3000V的测试电压。T是浪涌电压从0.3VP上升到0.9VP的时间间隔。T1为上升时间,T1=1.67T=1.2μs±30%。浪涌电压降到0.5Vp所持续的时间为T2,T2=50μs。(b)图示出由IEEE-587标准中给出的典型振铃电压波形,其峰值也是3000V(典型值)。第一个周期内正向脉冲上升时间T1=0.5μs,持续时间T=10μs;负向脉冲的峰值已衰减为0.6Vp。 1.2 抑制瞬态干扰的方法 1.2.1 改进电路 现以TOP202Y构成7.5V、15W开关电源模块的电路为例, 1.2.2 减小瞬态干扰的其他措施 ·为减小瞬态峰值电流,应在初、次级绕组之间绕3~5层0.05mm厚的聚酯绝缘胶布,使高频变压器的分布电容量降低。 ·TOPSwitch的外接散热器应与芯片上的小散热板连通。若两者之间加绝缘垫片,且散热器与电路连通位置又不合适,则散热器与小散热板的分布电容就会和电路中的电感发生谐振,产生高频振铃电压,使TOPSwitch中的关断触发器误操作。 ·提高整流桥耐压值并适当增加输入滤波电容C1的容量。 ·利用共模扼流圈对过大的共模干扰电流进行抑制。 ·在110~115VAC低压输入时,选择TOPSwitch-II系列产品,以提高芯片的漏-源击穿电压值。 ·在交流进线端并联一只压敏电阻器(VSR),对瞬态电压进行钳位,电路如图3所示。 2 抑制音频噪声 单片开关电源的音频噪声用人耳即可听到,它主要是由电容器和高频变压器产生的。 2.1 电容噪声 电介质材料具有压电效应,其形变大小与电场力的平方有关,二者呈线性或非线性关系。某些非线性电介质在常温下就具有压电效应,例如在TOPSwitch漏极RC吸收回路中使用的耐高压陶瓷电容器,是由非线性电介质钛酸钡等材料烧结而成的,在周期性尖峰电压的作用下,使电介质不断发生形变,能产生较大的音频噪声。采用耐高压的聚脂薄膜电容能降低电容噪声。 2.2 高频变压器噪声 高频变压器EE或EI型磁芯之间的吸引力,能使两个磁芯发生位移,绕组电流相互间的引力或斥力,也能使线圈产生偏移。此外,受机械振动时能导致周期性的形变。上述因素均会使高频变压器在工作时发出音频噪声。10W以下单片开关电源的音频噪声频率,约为10~20kHz。 为防止磁芯之间产生相对位移,通常以环氧树脂作胶合剂,将两个磁芯的3个接触面(含中心柱)进行粘接。但这种刚性连接方式的效果并不理想。因为这无法将音频噪声减至最低,况且胶合剂过多,磁芯在受机械应力时还容易折断。国外最近采用一种特殊的"玻璃珠"(glass beads)胶合剂,来粘合EE、EI等类型的铁氧体磁芯,效果甚佳。这种胶合剂是把玻璃珠和胶着物按照1:9的比例配制而成的混合物,它在100°C以上的温度环境中放置1小时即可固化。但其作用与滚珠轴承有某种相似之处,固化后每个磁芯仍能独立地在小范围内变形或移位,而总体位置不变,这就对形变起到了抑制作用。用玻璃珠胶合剂粘接的高频变压器内部结构如图4所示。采用这种工艺可将音频噪声降低5dB。 给线圈浸入清漆、烘干之后,不仅能隔绝潮气,加强坚固性,还有助于减小音频噪声。不过灌入清漆后也会增大初级绕组的分布电容,降低高频变压器的固有谐振频率。 2.3 抑制TinySwitch开关电源中的音频噪声 由TinySwitch构成开关电源时,音频噪声主要是由钳位保护电路和RC吸收回路产生的。为此可采取以下几种措施: (1)将RCD型钳位保护电路中的二级管VD,换成高压稳压管VDz;把漏极RC吸收回路中的高压陶瓷电容器换成压电效应很小的聚脂薄膜电容器。改进电路如图5所示。 (2)为进一步减小音频噪声,还可选择磁通密度较低的磁芯,例如当最大磁通密度从0.3T减小到0.2T时,可使音频噪声降低10~15dB。 |
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