这一极薄的钌层，可以强迫两边相邻的磁性材料层，按照和自己的磁性方向相反的方向排列。由于媒体总厚度非常薄的关系，在此钌层内可以非常容易地写入尺寸非常小，密度极高的数据位数，并且可以维持磁性不变。

　　这种新型的多层覆盖材料，在技术上可被认为是一种抗铁磁性耦合媒质;如果使用它制造硬盘，数据储存密度可以达到100 Gbits/in.2，并且预计可以在2003年以前实现。

　　另外在学术界，霍浦金斯大学（位于马里兰州的Baltimore）报道了一项新技术，他们称之为磁性随机存取存储器MRAM ( magnetic random access memory )。 此项新技术描述了一种工作机制，即利用一种磁性隧道结;这个隧道结，可以像电容在DRAM中所起到的作用一样，防止数据在动态存储器中丢失。

　　通过控制磁性隧道结中两块电极板之间的磁性方向，MRAM技术可能最终形成一代新型的非易失性的存储系统。在这个领域的研究工作，目前集中研究半金属铁磁材料二氧化铬的性质，和如何处理材料中电子自旋与电子电荷问题。

　　控制住电子的自旋，也就是说可以控制材料的磁性能了。使材料能够以一种有规则的方式代表存储的数据位。这样代表的数据，即使在去除掉电源供电以后，仍然能够将数据保持住。这项研究成果，还有助于改进磁传感器的性能。

　　另外，Keele大学（位于英国的Staffordshire）的研究人员还提出了一项发明，并且由Keele High Density公司（位于英国的伦敦）予以商品化，并推向市场。这项发明包括两部分，即数据压缩与处理的算法;和一种混合型固态存储器件（即硅/磁光存储器的混合型器件）的开发。据称。此种固态存储器，只需有信用卡的三分之一大小的表面积，就可以达到10.8 Tbytes的容量。

　　据说，如果采用Keele High Density公司的数据压缩技术，就可以作出非常高容量，非常宽的带宽，非常快存取速度的产品。这些产品在2003年前可以上市，如果要想进一步从IBM公司了解情况，请访问：http;//www.ibm.com。如果想进一步从Keele High Density公司了解情况，请通过电子邮箱mcd@cmruk.com和Mike Downey先生联系，或者访问网址：http://www.cmruk.com/cmrKHD.html。如果想进一步了解约翰霍浦金斯大学的研究计划，请访问网址：http://www.pha.jhu.edu/groups/mrsec/02/index.html。