老古开发网首页
导航:老古开发网首页文章索引索引第42页文章分类综合电子第17页→[在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的MOSFET工艺技术,使集成度提高了4倍]
| -文章搜索 - 最新文章 - |

在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的MOSFET工艺技术,使集成度提高了4倍

发布时间:2001年9月21日 点击次数:485
来源:   作者:David Suchmann
 

分立半导体器件制造商General Semiconductor公司(位于纽约州的Melville),具有在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的专有MOSFET工艺技术。采用这种技术可以进一步缩小功率MOSFET。该项工艺技术可以使集成度提高4倍,或者可以使称为GENFET的器件缩小50%,因而它比现有的器件,更适合移动电话机,笔记本电脑,PDA,以及其它的无线电产品的应用。

General Semiconductor公司的GENFET MOSFET器件,采用专有的200兆单元/平方英寸的工艺技术,比以前的工艺缩小了50%;导通电阻RDS(ON)达到0.41mΩ/cm2,比原先采用49兆单元/每平方英寸工艺制造的器件,改进了40%

GENFET器件是采用该公司的0.35μm,深槽工艺制造的。在30Vp沟道器件中,PDS(on)可以达到0.41mΩ/cm2,比现有的49兆单元/平方英寸的器件,提高了40%。除此而外,它的性能系数,即导通电阻与栅极电荷的乘积,提高了60%。结果使器件的效率得到提高,功率耗散得到降低。

GENFET MOSFET采用6根引出端的SOT-23和SOT-363封装,在今年2季度末可以提供样品,今年夏季开始批量生产。如果希望进一步了解情况,请和General Semiconductor公司的Ron Clifford联系。电话号码为:001-631-847-3355;fax为:001-631-847-3022;电子邮箱为:rclifford@gensemi.com。


欢迎进入老古论坛进行讨论
[综合电子] 相关文章:
用于通信设备的燃料电池电源
简介:
H Power公司(位于新泽西州的Clifton)是一家利用质子交换膜制造燃料电池的厂商;开发了一种命名为PowerPEM PS500的燃料电池。容量为500 W;主要用于通信柜机作电源,或者作为备用电源;与蓄电池相比,它具有性能不衰变,易于维护的优点;与发电机系统相比,它又具有不污染环境的优点。   PEM有时又称为固体聚合物电解质,其核心部分是一个薄的聚合物薄膜。此电解质薄膜能够牢固地将水中的负离子固定在其结构中。在薄膜内只有正离子才能够移动。燃料电池中的正离子是氢原子核。氢离......

碳纳米管可能成为Moore定律得以延续的救世主
CodeTEST嵌入式软件在线测试与分析工具在嵌入式系统开发中的应用
逻辑分析仪不再是硬件设计工程师的无奈选择
总线分析仪受益于FPGA技术
 
下一个:[综合电子]1.0μm InP工艺技术为达到OC-768的性能创造了条件
简介:
分立半导体器件制造商 General Semiconductor公司(位于纽约州的Melville),具有在每平方英寸芯片面积上制成200兆单元的专有MOSFET工艺技术。采用这种技术可以进一步缩小功率MOSFET。该项工艺技术可以使集成度提高4倍,或者可以使称为GENFET的器件缩小50%,因而它比现有的器件,更适合移动电话机,笔记本电脑,PDA,以及其它的无线电产品的应用。 图:General Semiconductor公司的GENFET MOSFET器件,......

上一个:[综合电子]A|RT Designer新添自动生成周期精确与位精确的模拟模型的能力

老古开发网版权所有 2006年9月 asp.Net V2.0 设计:老古
页面缓存:否 执行时间:31毫秒