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| 技术文章索引 标题 | 加入时间 | 点击次数 |
| 1.最新版LabWindows/CVI 7.0 简介:最新版LabWindows/CVI 7.0完全集成的工作平台(Workspace)、可生成代码的硬件配置助手以及经重新设计的数据采集界面，此三大特性不仅为广大用户提供更灵活、高效又长期稳定的ANSI C编程，还大幅增加了开发速度。 集成式的LabWindows/CVI工作平台是专为提高工程师们的工作效率而设计的，尤其是在包含多种资源和项目文件的大型应用系统中。该工作环境使用户很容易就能使用内置 ...... | 2003年12月2日 | 791 |
| 2.SOC自动测试仪 简介:Octet相对竞争机型在生产效率方面30％的优势使Octet成为测试先进的SoC器件理想的测试平台。Octet采用的专利技术如每管脚嵌入式温度稳定技术使其迎合了高性能器件的测试需求，同时与价格较昂贵的SoC测试系统相比，可以保持成本方面的优势。Octet与科利登的Quartet测试系统的兼容性使其成为台湾芯片加工厂商和测试代工厂理想的选择。 科利登系统公司(Credence) 21-6 ...... | 2003年12月2日 | 593 |
| 3.Dimension Vx340TM原子力显微镜 简介: Dimension Vx340TM原子力显微镜（Atomic Force Profiler, AFP）是专门针对CMP特性与工艺控制的量测系统。它结合了专用于CMP的算法、原子力显微镜的清晰度和长程扫描能力，使得其显微结构具有直观、可靠、重复性好的特点，能够很好的控制CMP工艺过程。 Veeco www.veeco.co ...... | 2003年12月2日 | 409 |
| 4.300毫米Epi RP CenturaR 外延系统 简介: 300毫米Epi RP CenturaR系统是业界唯一一款为源/漏极 (S/D) 扩展、提高的S/D以及其他新兴晶体管设计等所有90纳米以下应用提供无晶面 100％ 选择性外延沉积和稳定的大于 1E20原子/cm3 活性掺杂渗入的系统。Epi RP 还提供高生产率，低操作成本以及比竞争系统高2倍的吞吐量。选择性epi工艺的统一性与可重复性还可降低完工芯片的不稳定性，从而实现更易于控制的生产， ...... | 2003年12月2日 | 409 |
| 5.超厚光刻胶 简介:ZA 50XT是一种正性光刻胶，特别为长凸时涂布超厚的光刻胶而量身定做。ZA 50nXT和100nXTFA是为类似应用开发的负性光刻胶，具有很高的分辨率。AZ 50XT, AZ 50nXT 和 AZ 100nXT 的涂布厚度分别为65 μm, 50-80 μm和100 μm。正性光刻胶的纵宽比为3:1，负性光刻胶则为5:1。以上光刻胶具有很好的侧壁轮廓和很宽的工艺窗口。 AZ Elec ...... | 2003年12月2日 | 558 |
| 6.气体浓度控制软件 简介: Composer Monitor Software专门为气体浓度控制而设计的。它能使用户通过PC监测和恢复控制气体输送所需要的所有数据。利用该软件，我们可以实时地画出输送到某工艺的气体浓度曲线。通过工作站就可以恢复、改变工艺参数并传送回Composer软件。它可用作监视器，形象反馈并调整MFC流量和温度。工艺过程中它还能自动记录浓度、发泡室流量、稀释流量和其它工艺变量。其Amplitude ...... | 2003年12月2日 | 415 |
| 7.晶片边缘检查系统 简介: SmartEdge晶片边缘缺陷检查系统适用于晶片边缘缺陷及颗粒的检查和分类。它能自动检测各种缺陷，例如点缺陷、刮痕、面缺陷、碎芯片、裂缝、蚀刻缺陷以及单晶生长缺陷和外延缺陷。光学检查和图象识别大大增强了系统的检查能力，从而能够自动区分晶片是否有用。它装备了机器人处理系统和FOUP全自动系统，具有很好的性能。该系统可以防止晶片在生产过程中由于边缘缺陷发生破损现象，有适用于200mm和300mm ...... | 2003年12月2日 | 395 |
| 8.300mm铜电镀系统 简介: SlimCell 300mm电化学镀（ECP）系统使65nm及以下工艺芯片的多步铜电镀成为可能。该系统采用单个的化学反应单元来实现多步ECP工艺，有填缝能力和填补缝缺陷的能力，并为成本控制奠定了基准。每个小容量的电镀单元具有独立的化学反应槽，因此，芯片制造商可以在不同的电镀单元里使用不同的化学药品，从而实现多步电镀工艺。其特点包括将斜边清洗（IBC），旋转清洗-干燥（SRD）和退火等电镀后处 ...... | 2003年12月2日 | 598 |
| 9.氟气生成系统 简介:MicroGen Modular氟气生成系统可为CVD反应器清洗提供大量的氟气，并能在全厂范围内进行输送。将来只需最小限度地添加硬件设备，就可以增加氟气的生成能力。它包括多个氟气生成单元，每单元能产生800g/hr的氟气。每个反应单元分别位于逐个排列的独立柜子里，并通过柜子和中央控制、纯化及储存系统相互连接在一起。 Fluorine On Call Ltd. www.focltd. ...... | 2003年12月2日 | 413 |
| 10.Kulicke & Soffa苏州厂正式运营 简介:Kulicke & Soffa Industries, Inc.近日宣布它的首家中国工厂正式开始运营。该厂建于苏州-新加坡工业园区。新厂名为库力索法半导体(苏州)有限公司，目前主要生产焊针, 今后K&S 50%的焊针将由该厂完成。 库力索法半导体(苏州)有限公司副总裁兼总经理Shay Torton说：“由于中国封装产业的发展，特别是Amkor、Infineon、Fairchi ...... | 2003年12月2日 | 541 |
| 11.Intel等五家公司首次加入 IMEC的 亚45nm 研发平台 简介:IMEC宣布全球领先的五家半导体制造商Infineon、Intel、Philips、Samsung Electronics 和 STMicroelectronics 将通过加入IMEC的亚45nm 研发平台加强与IMEC的合作。亚45nm工艺技术需要投入巨大的研发资源和资金，为此IMEC与主要的IC制造和设备厂商建立了一个集中的研发平台，以降低各家公司的研发风险与费用，并将实验结果更快的付诸实施。 ...... | 2003年12月2日 | 483 |
| 12.国际整流器公司中国西安新厂举行奠基仪式 简介: 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 新建造的制造厂10月底在西安市进行奠基仪式。 新的组装和测试制造厂位于西安高新技术产业开发区的长安科技产业园，预期于2005年初正式投产。新厂专门负责生产主要功率管理元器件，以支持全球对电源、电机控制、个人电脑和其他多元化的个人电子消费品方面不断增长的需求。IR营运执行副总裁Walt Lifsey指出："新厂的 ...... | 2003年12月2日 | 480 |
| 13.JENOPTIK：光把世界联结在一起 简介:德国JENA是光学产业的诞生地。了解光学技术重要意义的人都知道德国JENA的JENOPTIK，她拥有3个紧密结合相互协同的业务部门—激光技术，光学和传感器系统—涵盖了从光的产生，形成到应用的整个产业链。 在光传输领域，JENOPTIK光学部门开发和生产光学器件和镀膜光学器件，以及用于光的精确测试、分析、结构化和处理的模块和系统。其产品包括：精密球型和非球型表面，棱镜和平面光学器件;干涉滤光器和 ...... | 2003年12月2日 | 911 |
| 14.宁波定位中小尺寸晶圆制造 简介:“亚太高新技术宁波论坛—2003国际集成电路与3C产业整合发展（IDM）专题” 在宁波召开，宁波信息办副主任、宁波保税区国际半导体光电科技工业园CEO柴利达表示：在已有7个集成电路产业化基地的基础上，宁波要做中国第8个IC产业基地。目前宁波保税区已成为中国大陆最大的单晶硅片生产基地，为了迎接上海的辐射效应，宁波将重点发展中小尺寸晶圆项目。据悉，目前宁波已有中纬积体、中佳积体、中昕积体、国华微电子和 ...... | 2003年12月2日 | 531 |
| 15.诺发和上海复旦大学成立半导体工艺技术研究中心 简介:诺发系统有限公司（Novellus Systems, Inc.）与上海复旦大学签订协议，联合成立了“复旦-Novellus互连研究中心”。根据合作协议，Novellus将捐赠给复旦一整套铜互连设备，包括：等离子体化学气相淀积系统( PECVD)、物理气相淀积系统(简称PVD)、电化学镀铜系统(ECD)、化学机械抛光设备(CMP)。 Novellus公司董事会主席和CEO Richard Hil ...... | 2003年12月2日 | 738 |
| 16.Fairchild苏州封测厂正式启用 简介: Farichild半导体宣布，其位于苏州新加坡工业园区内的封装测试厂9月29日正式投产，并已开始向客户批量供货，生产出来的产品将在全球销售。该公司表示，Farichild苏州厂是2004年Fairchild在中国销售翻番的全球战略目标的一个关键要素。 Fairchild董事长兼首席执行官Kirk Pond说，“苏州工厂是Fairchild1997年重组以来首个投资项目，将为我们的全球战略 ...... | 2003年12月2日 | 936 |
| 17.上海宏力半导体正式投产 简介:上海宏力半导体制造有限公司9月底正式开业投片，第一条8英寸晶圆生产线的产能今年底将达到月产1万片。宏力表示，2004年下半年公司的月生产能力将增至2.7万片，技术水平将达0.13微米铜连线低k工艺。 据了解，目前宏力半导体洁净室共有2.4万平方米，以其现有设备能力，已可实现0.13微米的工艺要求。今年公司可提供0.25-0.15微米的CMOS工艺，产品类型包括逻辑、混合信号、静态存储器和闪存等 ...... | 2003年12月2日 | 669 |
| 18.解决处于困境中的自动测试设备业务的良方 简介: --Test & Measurement World 技术领袖专访 被访对象：Thomas N. Newsom，安捷伦科技自动测试集团SOC 事业部副总裁、总经理 Tom Newsom 负责Agilent公司迅速增长的SOC市场中的 ATE 业务。该业务专注于可升级测试系统产品线，增值服务，设计系统，评估，以及SOC器件的大规模制造。 Newsom 在1980年作为一名制 ...... | 2003年12月2日 | 668 |
| 19.化学机械抛光 简介:化学机械抛光（CMP）是一种还不足20年历史的技术,它由IBM公司于1980年代中期开发出来的。利用这种技术可以使多层SiO2介质（SiO2 Inter level Dielectric, ILD）平面化，使多于三层的金属层能集成在一起，实现高密度连线。这种技术源于硅的抛光工艺。利用了CMP工艺，使随后的多层结构能在一个近乎平坦的平面上进行制备。 最初CMP技术的应用是使ILD平面化，随后很快 ...... | 2003年12月2日 | 1234 |
| 20.多孔MSQ膜的清洗和k值恢复 简介:低k材料的无损伤清洗工艺对于介电层叠层的有效介电常数keff最小化来说是非常关键的。在典型的蚀刻和灰化过程中，疏水性的多孔MSQ会变为亲水性，导致水汽吸收增加，k值变大。HMDS处理则有助于将膜恢复到疏水状态，并将k值降低到与刚刚沉积时相近的值。 IC性能的提高，例如更快的时钟速度和更低的功耗，要求芯片制造时在内连线连接技术中使用低k材料。在90nm工艺中，人们已经开始使用k值在2.8~3. ...... | 2003年12月2日 | 586 |
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