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70181. 【供应】 如何进行高速电路的ESD保护
信息发布时间：(2008年3月14日3:11:41 ) 发布者IP地址: 221.218.173.35

信息详细内容:

静电放电([url=http://www.e-smt.net]ESD[url])会给电子器件环境会带来破坏性的后果。事实上，在各种各样电路的电路封装和经过装配、正在使用大电子器件中，超过25%的半导体芯片损坏归咎于[url=http://www.e-smt.net]ESD[url]。
通常情况下，来自人体某个部分(手指)的放电将给给不同的材料充电，随后传递到附着在电子器件的导电触点。这将造成IC损坏，并有理由指责终端用户器件制造商。
这个问题非常严重，以至于欧盟(European Union)已经为任何在经济区销售的商品制定了特殊的ESD抑制标准。现在设计工程师必须为当今更敏感的半导体提供有效的ESD保护。
不幸地是，这项任务经常遵循事后回想的设计原则：首先搭建没有额外过压瞬间抑制的电路，依靠板上的IC来进行保护。如果测试能显示在原型阶段的灵敏度，那么就加上保护器件。如果这种方法被采用来满足当今更低放大电压，增加频率和更低噪声的要求的话，整个设计必须最优的并是集成的。在末端增加保护可能非常昂贵，或由于时间限制而不切实际。
转载自SMT商贸网[url=http://www.e-smt.net]http://www.e-smt.net[url]
姓名: 杨东海  
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