楼 主:姚子 2003年4月3日22:36

 请问老古有趣的各种干扰问题
我在进行的单片机可靠性测试中,发现以下各种干扰问题,觉得很有必要说一说,希望各位
高手指点迷津:
1.在单片机实验板同一电源插座上,取一电容器,比如洗衣机用电容器(4微法,400伏),将
其引脚伸入插座内,不断地接通/断开,发现这样对单片机的运行干扰不是很明显,出现死
机/复位情况很少见.
2.在单片机实验板同一电源插座上,换用变压器,将其引脚伸入插座内,不断地接通/断开,发现这样对单片机的运行干扰很严重,死机或自己复位.
3.把上述的实验电容器充电后,移到单片机芯片上方,(小于3厘米)将引脚相碰放电,这样极易使单片机死机,这将不是一般死机,手动复位无效,芯片严重发热,需要把电源断开,重新接通才可以正常工作.
问:为什么容性器件干扰比感性干扰小?
实验用CPU为89C51和89C2051,实验发现,2051抗干扰要比89C51好.

  
第2楼:学习中 2003年4月3日23:36

 试回答一下
1、电容充放电瞬间电流很大，不考虑线路的感抗，不会出现高的电压
2、电感断开的瞬间，产生很高的尖峰电压，干扰严重
3、器件产生了闩锁或称为可控硅效应，即触发了器件结构中的寄生可控硅，很容易烧毁器件

  
第3楼:Kuang-chingTsui 2003年4月4日12:20

 首先肯定你的试验很有意义：
你的电容的交流容抗约为700ohm左右，而且你不断地接通、断开电源时，其上已不断地被充电，所以瞬间用电容短接市电通过其电流越来越小，由此产生的火花就越来越小，较少有机会干扰单片机。而电感虽然也是一种储能元件，但它以磁能方式存储能量，一旦电感离开电源，其储存的磁能便迅速以电的形式释放，产生极大的感生电压（可能比电源电压还要高出许多）从而产生强大的电花干扰mcu。你在mcu附近短路电容器，是将其储存的电荷强迫释放（极端情况下，其电压可达220x1.4142v），也会产生很大的火花干扰。
你的mcu系统抗火花干扰的能力较差，应根据实际应用场合采取措施。
受干扰的mcu多数是程序跑飞，可能会使它的i/o工作大负荷状态，因此发热。
不能手工复位，可能是你的复位电路设计不好。

  
第4楼:tm1300 2003年4月4日15:11

 在告诉你一个有趣的“当机”东东
我曾经使用：AT89C2051配置24M晶振，33P电容的振荡电路。发现：我用的那批晶振好象工作在临界状态，尽管4，5脚对地电压正常，但是，只要我点击5脚（输入），2051就停机。开始我用示波器检测不到晶振，随即的测试电路（简单的点亮、熄灭LED）发现是晶振问题。