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→Microsemi推出专为超高频雷达设计的大功率超高频晶体管[qiurisiyu780]

 *第9432篇: Microsemi推出专为超高频雷达设计的大功率超高频晶体管

  
楼 主:qiurisiyu780 2008年1月5日17:31
 Microsemi推出专为超高频雷达设计的大功率超高频晶体管
高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi日前宣布推出一个达到最新技术水平的大功率晶体管,可应用于超高频长脉冲调制雷达。 
  在Santa Clara, California的雷达和射频(RF)模块事业部主任Jerry Chang说:“在市场完全认可了我们的超高频 "单个晶体管,一千瓦"的器件--0405-1000M--之后,我们非常高兴地在市场上又推出新的超高频长脉冲调制、高占空比的500瓦晶体管”。

  “在Microsemi 射频功率产品部门继续开发具有最新水平的硅双极结型射频晶体管技术的同时,还对未来前沿应用的宽禁带技术进行了大胆和积极进取的投资,”他补充道。

  型号为0405-500L的双极型晶体管设计用于400 ~ 450 MHz的UHF频率范围。这种型号的高性能、共发射极、C类、大功率晶体管提供500W峰值功率、 50%集电极效率的独一无二的性能;器件采用完全密封的封装,能给长脉冲调制雷达及远程雷达应用提供最好的可靠性。

  Microsemi's 最新的射频晶体管利用了一种新的芯片设计和工艺增强技术,提供具有最高水平的性能,特别是在指定的频率范围内,脉冲为1.1 ms,占空比为26%的调制形式下,能提供大功率和高增益 。

产品特性:


最新供应:IC库存2699 IC库存3542 IC库存5225 IC库存1853 IC库存5101 IC库存3853 

  专门设计应用于超高频雷达:  400 ~450 MHz
  长脉冲调制形式:       1.1ms, 26%
  最大输出功率:        500W
  最高功率增益:        9.5 dB
  集电极效率:         50%
  压缩:            在压缩区间
  Vcc:             +32V


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