楼 主:bizhenke 2003年1月6日14:28

 初学者:51外部數據並行擴充問題，緊急求救！
我用51讀SAMSUNG的128M flash,（老古的網站上有Data Sheet Download)P0口接D0-D7，51的
RD，WR分別接flash的RE，WE，但是程序該怎麼寫？是不是MOVX指令會觸發一個讀寫外部數據的操
作？看時序圖時發現,當一個讀操作開始時，首先P0口送低8位地址，P2口送高8位地址，然後RD變
低的同時P0讀出數據，再然後時序圖上標示P0口的數據為"A0-A7 FROM PCL"，何解？再再後面標
示"INSTR IN"，何解？

  
第2楼:DEF 2003年1月6日15:32

 有没有接地址锁存器,还有ALE信号用来锁存地址

  
第3楼:bizhenke 2003年1月6日15:47

 這種flash沒有獨立的地址線，它的地址線同數據線是共用的

  
第4楼:DEF 2003年1月6日15:49

 是什么型号?

  
第5楼:bizhenke 2003年1月6日15:54

 k9k1g08u0m samsung nand gate flash 我有它的資料，你要不要看看？另外atmel的89C51 24PC支持3.3V電壓嗎？謝謝！

  
第6楼:DEF 2003年1月6日15:58

 给我FLASH ROM的具体型号最好有它的PDF地址,Thank you!

  
第7楼:bizhenke 2003年1月6日16:11

 它的地址比較難找了，不過你告訴我你的mail地址我可以發給你

  
第8楼:bizhenke 2003年1月6日16:13

 http://www.laogu.com/script/script/default.asp?action=search&sName=on&sContent=on&keyword=flash 
這個檔案是16M的flash，同我用的是一個系列的，隻是我的是128M的

  
第9楼:DEF 2003年1月6日16:18

 edisonluo@mgspeed.com

  
第10楼:bizhenke 2003年1月6日16:26

 已經寄出！請收郵件！謝謝！

  
第11楼:bizhenke 2003年1月6日17:00

 用setb clr已經用過，失敗告終，麻煩各位大俠分析分析它的時序，我懷疑是51地時鐘頻率太低而跟不上它的時序，苦惱中！不知如何解決，請各位賜教！謝謝！

  
第12楼:DEF 2003年1月6日17:13

 与频率无关,控制线就是用来同步的,该芯片在读写前要先初始化

  
第13楼:bizhenke 2003年1月6日17:48

 要不我把我的程序發給你看看吧，我覺得我的程序應該是沒有問題的，但是總是有問題，這款芯片對某些時間要求較高，比如re有效到數據輸出它最大時間是35ns，我估計我再去讀時這個周期已經結束

  
第14楼:DEF 2003年1月6日17:50

 好吧

  
第15楼:bizhenke 2003年1月6日18:34

 程序已經發出，請收郵件！謝謝！

  
第16楼:bizhenke 2003年1月6日17:49

 你說的初試化是否是復位操作？

  
第17楼:DEF 2003年1月6日16:47

 个人意见
你所用的芯具有控制寄存器不能直接用传统的方法处理.
多了写保护线和命令控制线.可以用SETB,CLR来控制.
MOVX指令在它第二个ALE脉冲出现前和操作线/WR,/RD结束之后就已经结束了
所以第二个ALE信号后的时序是不定的他与你的后一条指令有关.

  
第18楼:a12345678 2003年1月6日21:51

 回复51外部數據
高位地址没有联接,128Mbits共计16MB,需要24地址,需要用P1口扩展A16~A23地址位,P2口接
A8~A15地址位.这时才能读写.

  
第19楼:DEF 2003年1月7日10:10

 你的复位过程漏了SETB ALE,请认真观察时序图,在写入数据时加入空指令延时,不能使用MOVX指令(时序不兼容),建议用C语言编写