导航: 老古网老古论坛XMOS公共讨论区XMOS开源项目区单片机程序设计嵌入式系统广告区域
→[原创]几个降低电路产生的电磁方法[sbfzw2012]

 *第51704篇: [原创]几个降低电路产生的电磁方法

  
楼 主:sbfzw2012 2012年10月25日11:52
 [原创]几个降低电路产生的电磁方法
1、尽可能选用信号斜率(slew rate)较慢的器件,以降低信号所产生的高频成分。
  2、注意高频器件摆放的位置,不要太靠近对外的连接器。
  3、注意高速信号的阻抗匹配,走线层及其回流电流路径(return current path), 以减少高频的反射与辐射。
  4、在各器件的电源管脚放置足够与适当的去耦合电容以缓和电源层和地层上的噪声。特别注意电容的频率响应与温度的特性是否符合设计所需。
  5、对外的连接器附近的地可与地层做适当分割,并将连接器的地就近接到chassis ground。
  6、可适当运用ground guard/shunt traces 在一些特别高速的信号旁。但要注意guard/shunttraces 对走线特性阻抗的影响。
  7、电源层比地层内缩20H,H 为电源层与地层之间的距离。

>>>>>>对该主题发表你的看法

本主题贴数1,分页: [第1页]


[上一篇主题]:[原创]学习+分享,教你轻松玩赚Android Market

[下一篇主题]:信盈达金典推荐,给你学习C语言的几点建议