FQL40N50技术资料FQL40N50原装现货 [原创]FQL40N50.PDF文档点击下载
FQL40N50 一般描述
这些N通道增强型功率场效应
晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条形,DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
尽量减少对电阻,提供优越的开关
性能,经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备和
适合高效率开关模式电源,电源
因数校正,电机驱动器和焊接机。
FQL40N50 特征
•第40A,500V及的RDS(on)= @ VGS电压= 100.11ΩV
•低栅极电荷(典型值155北卡罗莱纳州)
•低顾客订位系统(典型值95公积金)
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt的能力

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