------------------读DS18B20的程序,从DS18B20中读出一个字节的数据
READ_1820:
       MOV    R2,#8
RE1:
       CLR    C
       SETB    DQ
       NOP
       NOP
       CLR    DQ               
       NOP
       NOP
       NOP
       SETB    DQ
       MOV    R3,#7
       DJNZ    R3,$
       MOV    C,DQ
       MOV    R3,#23
       DJNZ    R3,$
       RRC    A
       DJNZ    R2,RE1
       RET

程序中红色的部分应该是按照DS18B20的时序要求来读取数据的部分，在拉低DQ后接了3个NOP，延时为3us，SETB DQ 1us，mov R3,#7 1us，djnz R3,$执行7次共14us，也就是说在MCU拉低1 WIRE总线19us后才开始对总线执行采样，而DS18B20的DATASHEET中规定此周期必须在15us内完成，以上程序有误还是我对DS18B20的读写周期规定理解有误，望各位大大帮忙解释一二，万分感谢！