存储器的终结者--FRAM(极力推荐) FRAM 拥有与其它记忆体技术不同的特点。传统的主流记忆体可分为两种—易失性记忆体和非易失性记忆体。易失性记忆体包括SRAM (静态随机存取记忆体)和DRAM (动态随机存取记忆体),他们在掉电后都不能保存数据,RAM类型的记忆体很容易使用且速度很快,但是掉电后数据也将随之丢失。
非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入,而且写入速度慢,它们包括EPROM(现在基本已经淘汰),EEPROM和Flash,它们存在写入数据时需要的时间长,擦写次数低,写数据功耗大等缺点。
FRAM 提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点,它是全新创造的产品,一个非易失性随机存取储存器。
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