ZMD nvSRAM— 理想的基于电池的SRAM替代品。
容量:16Kb, 64Kb, 256Kb/
结构:2K x 8, 8K x 8, 32K x8
供电电压:3.0V /3.3V/ 5.0V
访问时间:25 to 70 ns
温度范围: 0 to +70/-40 to +85
封装: DIP, SOP
存储类型: HardStore SoftStore CapStore PowerStore
特点
不同的存储及读取的方式,广泛的应用范围:供电电压,地址次序或1或者更多的控制脚位。
10年的EEPROM最后一次写入数据的存储。
耐久力(EEPROM): > 100,000 次
耐久力(SRAM): 无限次