公司一个项目要使用高压包将24V电压升到6000V,原来的电路使用两个大功率三极管2N5884(PNP, 80V, 25A),为了将成本,需要改成MOSFET,兄弟选了P沟道的IRF9540(P沟道, 60V, 19A)先作实验,如图电路后无法成功。MOSFET特别烫,测量高压包4匝的两脚,看到MOSFET被导通了,拉到5V左右了,但有部分交流成分。
如果改成N沟道的,是否无论如何是无法完成设计的?P沟道很难找到大电流的管子。
我模电特别差,无论如何想不通。请各位大侠指教。是我管子不对,电路参数问题还是根本就无法实现?
板砖拍是可以的,但请指出来我哪里错了。
我不知道是不是需要选择合适的RC滤波在栅极对地之间,如果需要的话应该如何计算啊?
现在看来改成555并不理想,一是因为前面的原因,栅极的阻尼振荡无法消除;二是无论我如何调节,电压无法达到6Kv的输出,MOS管非常烫,我怀疑变压器有磁饱和了,导致直流分量大。
可是我调节555的周期和占空比产生很好的输出波形的时候(此时占空比要很小,栅极波形也不是方波脉冲,而是双波峰的脉冲,跳变还有微弱的阻尼),逆变电压非常低,仅在300V左右。根本达不到以前,而改变变压器的绕组也没有改善。
有没有大侠不吝赐教!