楼 主:cocochan921 2012年4月12日16:24

 [原创]提供CISSOID耐高温IC解决方案
电源供应
1.HELIOS 线性稳压器 (CHT-LDOP / LDOS / LDNS)
a) 高温稳压器-55°C~+225°C （连续工作的合格温度范围）     
b) 低压差(1V @500mA; 2V@1A) 
c) VOUT: 2.5; 3.3; 5; 5.5; 9; 10; 12; 13和15V
d) IOUT: 最大1A
e) ±2%精度(-55°C~+225°C) 
f) 最大VIN= 30V
g) 折返式短路保护
h) 宽载范围（ 0~1000µF包括ESR） 
i) 封装: TO254和晶片形式
寿命测试完成： >  25 000 h @250°C, >  10 000 h @300°C
j) 经NASA的-195°C温度测试
k) 经Sandia Nat’ Labs的上达300°C温度测试
l) 记录500°C的工作温度范围
m) 3%的精度(-200°C~+300°C) 
2.CHT-VEGA可调式线性稳压器
a) 高温稳压器-55°C~+225°C   
b) VIN =4.5V~5.5V 
VOUT =1.2V~3.3V: 可通过外围2个电阻器桥调整,总精确度:±5% [*]
[*]注：不包括外围元器件的精确度 
c) 输出电流: 最大500mA 
d) 电源调整率：+0.1% / V典型值 
e) 负载调整率： -1% / A 典型值. 
f) 静态电流（无负载）：最大1mA
g) 待机电流（关闭模式）： 10µA典型值 
h) 热关断： 250°C~300°C下有源 
i) 电流限制 
j) 防闩锁 
k) 封装: TDFP16和晶片形式 （其他封装：请联系CISSOID） 
3.CHT-RIGEL 可调式线性稳压器
a) 高温稳压器-55°C~+225°C   
b) 输入电压VIN 4.5V~30.0V 
c) 输出电压VOUT 1.2V~24.0V：可通过外围2个电阻器桥调整
d) 输出电流：最大100mA 
e) 静态电流（无负载）：最大500µA 
f) 热关断: 250°C~300°C下有源 
g) 电流限制 
h) 防闩锁 
i) 封装: TDFP16和晶片形式  
J)  总精确度： ±5% [*] [*] 注：不包括外围元器件的精确度
 4.POLARIS (CHT-BG3M): 电压参考
a) 输出电压VOUT : 2.5V, 3.3V, 5V, 9V, 10V 或12V。
b) 已缓冲
c) 精密度：整个温度范围(-55°C to +225°C)的±2% 
d) 静态电流： IDD : 700µA 典型值（最大800µA） 
e) 最大输入电压VIN max = 25V; 最大电压差: 15V 
f) 最大输出电流IOUT max: 3mA（缓冲）
g) 最大负载电容：3nF 
h) 测试温度范围：-195°C~300°C
5. CHT-MAGMA: PWM控制器
a) 应用：DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS)
b) 温度范围-55°C~+225°C 
c) 恒定频率下电压模式控制
d) 输入电压前馈补偿
à 减少输入电压变化的敏感度
e) 输入电压6V~30V 
f) 带0.5mV/V电源调整率和0.25mV/°C温度系数的2.5V电压参考
g) 50~500KHz可调时钟或与外部时钟同步 
h) 电源良好，输出允许，待机模式(150µA@225°C)
  6. ETNA技术: DC-DC转换器
a) -55°C~+225°C 
b) 采用CISSOID有源元件的参考设计，演示电路板，电路图，BOM表，数据手册和操作说明书
c) 架构：降压转换器
d) 恒定频率(90KHz)下占空比调制
e) 最大输出电流：1A
f) 输入电压：最小7V，最大30V
g) 输出电压：2.5V上至25V
7. VESUVIO®技术: DC-DC转换器
a)  -55°C~+225°C 
b) 采用CISSOID有源元件的参考设计，演示电路板，电路图，BOM表，数据手册和操作说明书 
c) 同步降压转换器
d) 可同步到外部时钟
e) 输出功率：可达50W
f) 输入电压：6V~30V
g) 输出电压：1.2V~27V
h) 效能：可达90% @ 225°C 
i) C-MAC MicroTechnology公司可提供模块
8. EREBUS®技术: DC-DC转换器
a) -55°C~+225°C
b) 采用CISSOID有源元件的参考设计，演示电路板(*)，电路图，BOM表，数据手册和操作说明书 
c) 同步降压转换器 
d) 可同步到外部时钟 
e) 两个转换器版本：EREBUS-40和EREBUS-50，最大输入电压分别为40V和50V
f) 输出电流：
a) Erebus-40：可达8A（最大功率= 280W）
b) Erebus-50：可达4A （最大功率=180W） 
g) 输入电压：12V~50V
h) 输出电压：输入电压的10%~90% 
i) 效能：可达85% @ 225°C 
9.STROMBOLI®技术: 隔离DC-DC转换器
a) -55°C~+225°C
b) 用CISSOID有源元件的参考设计，1块演示电路板，电路图，BOM表，数据手册和操作说明书 
c) 反激式转换器
d) 可实现多种输出电压(如有要求可对称输出)
e) 效能可达70%@225°C 
f) 绝缘电阻>  10MΩ 
g) 可扩展性架构
h) 电压可达540V
i) 功率可达350W
电源转换产品详情
   1. CHT-PALLAS: 全桥驱动器
a) 一个芯片(DIL40封装)上装有2个高端驱动器和2个低端驱动器
b) 高温范围： -55°C~+225°C 
c) 栅极驱动电压：10V
d) 高压桥：可达50V
e) 高端驱动器由一个自举电容器或一个内设电荷泵，典型应用：
i. 功率FET驱动器
ii. DC-DC转换器
iii. SiC J-FET驱动器
    2. CHT-HYPERION: 半桥驱动器
a) 高端/低端驱动器应用于
i. DC-DC转换器
ii. 电机控制用半桥驱动器
iii. 逆变器
b) 电气特性
i. 导通电阻Ron ~ 1 Ω 
ii. 驱动电容量可达1nF 
• 200°C时转换时间15ns 
i. 非重叠电路
ii. 浮动自举式高端电压可达50V
iii. 欠压锁定 
iv. 撬棍电路引脚锁住低端驱动器开通
v. 低端驱动器禁用进入异步模式
vi. 断电端子关闭高端和低端驱动器
  信号调理，通用及分立电子元器件
   1. EARTH: 功率MOSFET NMOS 80V (CHT-NMOS80xx)
a) 温度范围-55°C~+225°C 
b) 漏源电压VDS可达80V 
c) 温度稳定性及抗闩锁 
d) 转换应用
e) 可提供TO-254封装
f) NMOS8005, NMOS8010:
最大输出电流IOUT max:  5A, 9A (@结温=225°C) 
导通电阻RON : 1W,  0.5W (@结温=225°C)
  2. SATURN: 功率MOSFET NMOS 40V (CHT-NMOS40xx)
a) 温度范围-55°C~+225°C 
b) 漏源电压VDS可达40V
c) 温度稳定性及抗闩锁 
d) 转换应用 
e) 可提供TO-254封装 
f) NMOS4005, 4010, 4020: 
最大输出电流IOUT max: 3.9A, 7.6A, 14A (@结温=225°C)
导通电阻RON : 0.8W, 0.4W, 0.25W (@结温=225°C)
 3. VENUS: 功率MOSFET PMOS 30V (CHT-PMOS300x)
a) 温度范围-55°C~+225°C 
b) 漏源电压VDS可达30V 
温度稳定性及抗闩锁 
c) 转换应用 
d) 可提供TO-254封装 
e) PMOS3002, 3004, 3008: 
最大输出电流Iout max: 1.9A, 3.8A, 7.6A (@结温=225°C)
导通电阻RON : 3.9W, 2.0W, 1.0W (@结温=225°C) 
 4. MERCURY: 小信号N-MOSFET 80V (CHT-SNMOS80)
a) 温度范围-55°C~+225°C 
b) 漏源电压VDS可达80V
c) 温度稳定性及抗闩锁 
d) 应用：电平转换器、跟随器、开关
e) 可提供TO-39封装和T018(2012年四季度)封装
f) 输入电容CIN: 23pF 
g) 最大输出电流IOUT max: 300mA (@结温=225°C) 
h) 导通电阻RON : 15W (@ 结温=225°C)
 5. MARS: 小信号P-MOSFET 30V (CHT-SPMOS)
a) 温度范围-55°C~+225°C 
b) 漏源电压VDS可达30V
c) 温度稳定性及抗闩锁 
d) 应用：电平转换器、跟随器、开关 
e) 可提供TO-39封装和T018(2012年四季度)封装 
f) 输入电容CIN: 14pF
g) 最大输出电流IOUT max: 310mA (@结温=225°C) 
h) 导通电阻RON : 26 W (@ 结温=225°C)
6. CHT-MOON: 双路NMOS晶体管
a) 温度范围-55°C~+225°C 
b) 漏源电压VDS可达40V 
c) 栅源电压VGS为0V~40V 
d) 最大输出电流IOUT max : 1A (@ 结温=225°C) 
e) 最大功耗：3.3W 
f) 导通电阻RON : 0.38Ω (@ 结温=25°C)
0.65Ω  (@结温=225°C)
g) 输入电容CIN : 370pF 
h) 可提供CSOIC-16封装 
应用：
SMPS, PoL和DC/DC转换器 
电机驱动与逆变器中低-中等功率推拉级晶体管 
7. CHT-GANYMEDE: 双路系列小信号二极管
a) 温度范围-55°C~225°C 
b) 反向电压VR= 80V (最大) 
c) 正向电流: IF = 300 mA (@结温=225°C和正向电压 VF = 1.5V) 
d) 正向电压: VF =  0.7V (典型值@正向电流IF = 1mA) 
e) 结电容: Cj=8.5pF (典型值@反向电压VR = 25V) 
f) 封装：密封金属罐TO18 
g) 应用：
– 钳位二极管 
– 倍压器/电荷泵 
– 信号整流 
– 通用二极管
8.CHT-JUPITER: 高压开关
a) 温度范围-55°C~225°C 
b) 漏源电压VDS可达600V
c) 包含SiC 
d) 最大输出电流IOUT max:  1A (@结温=25°C) 
e) 由电容性输入电路上的标准0/5V逻辑信号控制
f) 导通电阻RON : 0.7Ω (@结温=25°C) 
1.25Ω (@结温=225°C) 
g) 输入电容CIN : 430pF 
h) 可提供TO-254封装
i) 应用：电机驱动、DC-DC转换器、各种高压负荷的开关
9. AMAZON (CHT-ADC10):10位超低功率ADC模数转换器
a) 高温范围: -55°C~+225°C 
b) 超低电流IDD =200µA 
c) 有效位ENOB=9位@225°C ，依然是8位@300°C 
d) 多种输入范围
e) 串联和并联输出：
x74 ‘like’  µC接口
SPI串行外设接口
f) 片内采样保持电路
g) 用外部时钟采样速率可达25ksps 
h) 可提供DIL28封装
10. NILE (CHT-PTC8):8位可编程比较器
a) 模拟输入与一个5V参考电压的8位分辨率做比较
b) 可编程阈值
c) 延迟时间2.6µs
d) 输入电压范围-15V~+10V 
e) CSOIC16封装
11. CHT-555定时器
a) 广受欢迎的555定时器，完全兼容
b) 工作温度范围：
CHT版本:–55°C~+225°C   
CMT版本: -55°C~+175°C
c) 产生时延、振动，可用作无稳态定时器或单稳态定时器
d) 计时低漂移性能
e) 静态电流IDD   < 350µA @ 235°C 
f) 经NASA下至-195°C上至+375°C温度测试(*) 
g) 记录工作温度范围
h) 可提供DIL8封装形式和晶片形式的高温系列
i) 可提供PSOIC8封装形式的中温系列 
12. CHT-CG050: 晶体时钟发生器
a) 多种低电压晶体时钟发生器
b) 高温系列-55~+225°C 
c) 工作电压3V~5V 
d) 频率范围： 1MHz~50MHz 
e) 外部时钟输入：直流~50MHz 
f) 可编程分频器
g) 可编程晶体驱动器
h) 可编程输出驱动强度
i) 三态输出缓冲
j) 片上温度稳定电容器和电阻器
k) 振动并在整个高温范围工作
l) 封装： DIL24和晶片形式
13. CMOS逻辑门(CHT-74xx)
a) 工作温度范围：
CHT版本:  –55°C ~ +225°C
CMT版本: -55°C~+175°C
b) 电源供应: 3.3~5V (±10%) 
c) 7400: 四路2输入与非门
d) 7404: 十六进制逆变器
e) 7408: 四路2输入和门
f) 7432: 四路2输入或门
g) 7474: 双路D型正向边沿触发的触发器（带预设和清除）
h) 7486: 四路2输入异或门
i) 74021: 四路2输入非门（类似于7421但引脚输出）
j) 74132: 四路2输入与非门施密特触发器 
k) 可提供DIL14、CSOIC16 和晶片形式封装的高温系列 
l) 可提供PSOIC16封装的-55°C~175°C中温系列
14. TURQUOISE (CHT-OPA):通用运算放大器
a) 工作温度范围：
CHT版本:  –55°C~+225°C
CMT版本: -55°C~+175°C
b) 内部补偿
c) 整个温度范围内频率调谐恒定为1.3MHz 
d) 转换率: >   1.5V/µs 
e) AC特性(RL=2kW, CL=30pF) 
AVo >  100dB @ -40°C
>  85dB @ 225°C
PM >   60° 任何温度条件下
f) 静态电流IDD: 300µA @ -40°C / 600µA @ 225°C 
g) 可提供CDIL14和CSOIC16封装的高温系列 
h) 可提供PSOIC16封装的中温系列 
i) 经NASA上至+400°C高温的测试(*) 
15. CHT-RUBY:三个运算放大器+电压参考
a) 工作温度范围：
高温版本:  –55°C~+225°C
中温版本: -55°C~+175°C
b) 运算放大器：
a) 工作电压VDD-VSS: 6V~20V 
b) 工作电流: 最大550mA / OPA (@VDD = 10V) IDD  
c) 整个温度范围内增益带宽乘积恒定为1.3MHz 
d) 输入失调电压: ±2.5mV典型值
e) 转换率 >   1.5V/µs 
c) 电压参考：
a) 固定电压参考: 5V 
b) 输出电压初始精度: ±2% 
c) 最小压差: 2V @ 25mA 
d) 最大输出电流: 25mA @225°C 
e) 负载电容: 100nF~10uF 
f) 待机电流: 700μA典型值 
d) 可提供CSOIC16封装