楼 主:sz20120406 2012年4月11日12:51

 非易失性存储器的介绍
非易失性存储器的介绍
　　非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)的特点是在断电时不会丢失内容。闪速存储器(Flash Memory)就是一类非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点，与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作);与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
　　二、非易失性存储器发展趋势
　　尽管目前非易失性存储器中最先进的就是闪存，但技术却并未就此停步。生产商们正在开发多种新技术，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。
　　非易失性存储器包括铁电介质存储器(FRAM或FeRAM)、磁介质存储器(MRAM)、奥弗辛斯基效应一致性存储器(OUM)以及聚合物存储器(PFRAM)，对数据处理来说，它们都很有前途，因为它们突破了SRAM、DRAM以及闪存的局限性。
　　FRAM 是下一代的非易失性存储器技术，运行能耗低，在断电后能长期保存数据。它综合了RAM高速读写和ROM长期保存数据的特点。这项技术利用了铁电材料可保存信息的特点，使用工业标准的CMOS半导体存储器制造工艺来生产，直到近日才研发成功。但是，FRAM的寿命是有限的，而其读取是破坏性的，就是说一旦进行读取，FRAM中存储的数据就消失了。
　　MRAM 是非易失性的存储器，速度比DRAM还快。在实验室中，MRAM的写入时间可低至2.3ns。MRAM拥有无限次的读写能力，并且功耗极低，可实现瞬间开关机并能延长便携机的电池使用时间。而且，MRAM的电路比普通存储器还简单，整个芯片只需一条读出电路。但就生产成本来看，MRAM比SRAM、DRAM及闪存都高得多。
　　OUM 是一种非易失性存储器，可以替代低功耗的闪存。它拥有很长的读写操作寿命，并且比闪存更易集成。OUM存储单元的密度极高，读取操作完全安全，只需极低的电压和功率即可工作，同现有逻辑电路的集成也相当简单。用OUM单元制作的存储器大约可写入10亿次，这使它成为便携设备中大容量存储器的理想替代品。但是，OUM有一定的使用寿命，长期使用会出一些可靠性问题。
　　PFRAM 是一种塑料的、基于聚合物的非易失性存储器，通过三维堆叠技术可以得到很高的密度，但它的读写操作寿命有限。PFRAM可能会替代闪存，并且其成本只有NOR型闪存的10%左右。塑料存储器的存储潜力也相当巨大。
　　今后，生产聚合物存储器可能会变得像印照片一样简单，但今年才刚刚开始对这种非易失性存储器的生产工艺进行研发。PFRAM的读写次数也有限，并且其读取也是破坏性的，就像FRAM一样。
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