每个器件都具有 BiCMOS 单片电路,该电路集成了已经改进的温度补偿霍尔效应电路,以降低霍尔元件、小型信号高增益放大器和轨对轨低阻抗输出级所固有的灵敏度漂移。
独有的动态偏移取消技术,连同内部高频时钟,可降低通常由器件超模压、温度依存性及热应力引起的残余偏移电压。 高频时钟可支持更高的取样率,从而达到更高的精确度和更快的信号处理能力。 该技术生产出的器件具有极端稳定的静态输出电压,可抗机械应力,并且在温度周期性变化后还具有精确的可恢复性。 将霍尔元件和放大器置于单个芯片中,可将通常与低水平模拟信号相关联的很多问题减到最少。
该产品在制造过程中已在下线时进行内部增益和偏置修正调整,可实现高精度的输出水平。
A132X 系列以两种封装类型提供:3 引脚单列直插式封装 (UA) 和 3 引脚表面安装封装 (LH)。 所有封装均为无铅版本(后缀,–T),引脚框采用 100% 雾锡电镀。
A1321 和 A1323 器件旨在分别替代 A3515/7 和 A3516/8 器件。 建议这些新器件用于所有新设计。
功能及优点
温度稳定的静态输出电压
温度周期性变化后精确的可恢复性
输出电压与磁通密度成比例
成比例轨对轨输出
已改善的灵敏度
在 4.5 至 5.5 V 之间工作
抗机械应力
高可靠性
可靠的 EMC 保护
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