请教模电好的大侠关于高压包升压管的问题

请教模电好的大侠关于高压包升压管的问题

公司一个项目要使用高压包将24V电压升到6000V，原来的电路使用两个大功率三极管2N5884(PNP, 80V, 25A)，为了将成本，需要改成MOSFET，兄弟选了P沟道的IRF9540（P沟道, 60V, 19A）先作实验，如图电路后无法成功。MOSFET特别烫，测量高压包4匝的两脚，看到MOSFET被导通了，拉到5V左右了，但有部分交流成分。

如果改成N沟道的，是否无论如何是无法完成设计的？P沟道很难找到大电流的管子。

我模电特别差，无论如何想不通。请各位大侠指教。是我管子不对，电路参数问题还是根本就无法实现？

板砖拍是可以的，但请指出来我哪里错了。

发表时间:2005年5月17日22:52:42

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77915.[详细]大家没有帮我的么？
摘要:大家没有帮我的么？......(18字)
－ [wping1234][973次] 2005年5月18日

78201.[详细]还没有人帮我啊？
摘要:求救啊！！！......(12字)
－ [wping1234][836次] 2005年5月22日

78209.[详细]让俺看看吧！
摘要:1/ 驱动电阻r6太大，孙然是场管，当工作在一定频率是因为电容效应时脉从沿变坏，（可用示波器看到）2/因为场管的控制极不能艘太大的反电压（相对元级），自激振荡可能会因负载变化使驱动脉冲变坏，损害场管。3/可改成555集成电路驱动。......(252字)
－ [liyuqing0318][815次] 2005年5月23日