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 FQA9N90C技术资料[原创]
[QUOTE]FQA9N90C特征：
•第9A，900V，的RDS（on）= @ VGS电压= 101.4ΩV 
•低栅极电荷（典型值45北卡罗莱纳州） 
•低顾客订位系统（典型值14公积金） 
•快速切换 
•100％雪崩测试 
•改进的dv / dt的能力

FQA9N90C一般描述：
这些N通道增强型功率场效应
晶体管是利用飞兆半导体专有的， 
平面条形，DMOS技术。 
这种先进的技术已特别针对
尽量减少对电阻，提供优越的开关
性能，经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备和
适合高效率开关模式电源。

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联系人：于谨/深圳IC
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发表时间:2009年10月26日15:24:48