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 解读专营电容CL21F223ZBANNNC电容的具体模型和分布参数
解读专营电容CL21F223ZBANNNC电容的具体模型和分布参数

　　要正确合理的应用专营电容CL21F223ZBANNNC电容，自然需要认识专营电容CL21F223ZBANNNC电容的具体模型以及模型中各个分布参数的具体意义和作用。和其他的元器件一样，实际中的专营电容CL21F223ZBANNNC电容与"理想"专营电容CL21F223ZBANNNC电容器专营电容CL21F223ZBANNNC电容器

　　所谓专营电容CL21F223ZBANNNC电容器就是能够储存电荷的“容器”。只不过这种“容器”是一种特殊的物质——电荷，而且其所存储的正负电荷等量地分布于两块不直接导通的导体板上。至此，我们就可以描述专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的基本结构：两块导体板（通常为金属板）中间隔以电介质，即构成专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的基本模型。 [全文]
不同，"实际"专营电容CL21F223ZBANNNC电容器由于其封装、材料等方面的影响，其就具备有电感电感　　能产生电感作用的元件统称为电感原件，常常直接简称为电感。电感器在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要。我们认为电感器和专营电容CL21F223ZBANNNC电容器一样，也是一种储能元件，它能把电能转变为磁场能，并在磁场中储存能量。 [全文]
、电阻电阻　　电阻，物质对电流的阻碍作用就叫该物质的电阻。电阻小的物质称为电导体，简称导体。电阻大的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 [全文]
的一个附加特性，必须用附加的"寄生"元件或"非理想 "性能来表征，其表现形式为电阻元件和电感元件，非线性和介电存储性能。"实际"专营电容CL21F223ZBANNNC电容 器模型如下图所示。由于这些寄生元件决定的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的特性，通常在专营电容CL21F223ZBANNNC电容器生产厂家的产品说明中都有详细说明。在每项应用中了解这些寄生作用，将有助于你选择合适类型的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器。

　　从下面的图我们可以看出，专营电容CL21F223ZBANNNC电容实际上应该由六个部分组成。除了自己的专营电容CL21F223ZBANNNC电容C外，还有以下部分组成：

　　1、等效串联电阻ESR RESR ：专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的等效串联电阻是由专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的引脚电阻与专营电容CL21F223ZBANNNC电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过专营电容CL21F223ZBANNNC电容器，RESR 使专营电容CL21F223ZBANNNC电容器消耗能量(从而产生损耗)，具体参考。这对射频电路和载有高波纹电流的电源去耦专营电容CL21F223ZBANNNC电容器会造成严重后果。但对精密高阻抗、小信号模拟电路不会有很大的影响 。RESR 最低的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器是云母专营电容CL21F223ZBANNNC电容器和薄膜专营电容CL21F223ZBANNNC电容器薄膜专营电容CL21F223ZBANNNC电容器

　　薄膜专营电容CL21F223ZBANNNC电容器，film capacitor，被广泛使用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜专营电容CL21F223ZBANNNC电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端重叠后，卷绕成圆筒状的构造之专营电容CL21F223ZBANNNC电容器。 [全文]
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　　2、等效串联电感ESL，LESL ：专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的等效串联电感是由专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的引脚电感与专营电容CL21F223ZBANNNC电容器两个极板的等效电感串联构成的。像RESR 一样，LESL 在射频或高频工作环境下也会出现严重问题，虽然精密电路本身在直流或低频条件下正常工作。其原因是用于精密模拟电路中的晶体管晶体管

　　晶体管是由三层杂质半导体构成的器件，有三个电极，所以又称为半导体三极管，晶体三极管等，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。 [全文]
在过渡频率(transition frequencies)扩展到几百兆赫或几吉赫的情况下，仍具有增益，可以放大电感值很低的谐振信号。这就是在高频情况下对这种电路的电源端要进行适当去耦的主要原因。

　　3、等效并联电阻EPR RL ：就是我们通常所说的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器泄漏电阻，在交流耦合应用、存储应用(例如模拟积分器和采样保持器)以及当专营电容CL21F223ZBANNNC电容器用于高阻抗电路时，RL 是一项重要参数，理想专营电容CL21F223ZBANNNC电容器中的电荷应该只随外部电流变化。然而实际专营电容CL21F223ZBANNNC电容器中的RL 使电荷以RC时间常数决定的速率缓慢泄漏。

　　4、还是两个参数RDA、CDA 也是专营电容CL21F223ZBANNNC电容的分布参数，但在实际的应该中影响比较小，这里就不介绍了。所以专营电容CL21F223ZBANNNC电容重要分布参数的有三个：ESR、ESL、EPR。其中最重要的是ESR、ESL，实际在分析专营电容CL21F223ZBANNNC电容模型的时候一般只用RLC简化模型，即分析专营电容CL21F223ZBANNNC电容的C、ESR、ESL，这我们将在下周做重点分析专营电容CL21F223ZBANNNC电容的简化模型。

　　下面我们在介绍详细模型的基础上，谈谈我们设计中经常用到两种专营电容CL21F223ZBANNNC电容：

　　电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容器(比如：钽专营电容CL21F223ZBANNNC电容钽专营电容CL21F223ZBANNNC电容

　　钽专营电容CL21F223ZBANNNC电容全称是钽电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容，也属于电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容的一种，使用金属钽做介质，不像普通电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容那样使用电解液，，钽专营电容CL21F223ZBANNNC电容不需像普通电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容那样使用镀了铝膜的专营电容CL21F223ZBANNNC电容纸烧制，本身几乎没有电感，但这也限制了它的容量。 [全文]
器和铝电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容　　电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容是一种由两块平行金属板以及两金属板之间放置电解液所构成的专营电容CL21F223ZBANNNC电容。专营电容CL21F223ZBANNNC电容器依照所使用的电极材料.电解液之种类而付予专营电容CL21F223ZBANNNC电容器的名称。介质有电解液涂层有极性，分正负不可接错。 [全文]
器)的容量很大，由于其隔离电阻低，就是等效并联电阻EPR很小，所以漏电流非常大 (典型值5～20nA/μF)，因此它不适合用于存储和耦合。电解专营电容CL21F223ZBANNNC电容比较适合用于电源的旁路专营电容CL21F223ZBANNNC电容，用于稳定电源的供电。最适合用于交流耦合及电荷存储的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器是聚四氟乙烯专营电容CL21F223ZBANNNC电容器和其它聚脂型(聚丙烯、聚苯乙烯等)专营电容CL21F223ZBANNNC电容器。

　　单片陶瓷专营电容CL21F223ZBANNNC电容陶瓷专营电容CL21F223ZBANNNC电容

　　用高介电常数的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正专营电容CL21F223ZBANNNC电容温度系数的专营电容CL21F223ZBANNNC电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路专营电容CL21F223ZBANNNC电容器及垫整专营电容CL21F223ZBANNNC电容器。低频瓷介专营电容CL21F223ZBANNNC电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种专营电容CL21F223ZBANNNC电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 [全文]
器，比较适合用于高频电路的退耦专营电容CL21F223ZBANNNC电容，因为它们具有很低的等效串联电感，就是等效串联电感ESL很小，具备有很广的退耦频段。这和他的结构构成有很大的关系单片陶瓷专营电容CL21F223ZBANNNC电容器是由多层夹层金属薄膜和陶瓷薄膜构成的，而且这些多层薄膜是按照母线平行方式排布的，而不是按照串行方式卷绕的。

发表时间:2011年6月29日16:58:24