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 台湾芯唐（华邦）强势推出：W79E2051/W79E4051,兼容AT89C2051/4051
台湾芯唐（华邦）强势推出：W79E2051/W79E4051,兼容AT89C2051/4051
内置2K/4K容量Flash ROM，全面兼容其他品牌2051/4051系列。 
与AT89C2051兼容通用功能外，还具有更快的速度，W79E2051采用4T时钟周期内核，更大的RAM空间达到256字节，内置RC振荡，可配置的I/O模式，带噪声滤波的模拟比较器，1路PWM输出，有上电复位欠压检测功能；内置128/256字节NVM DATA FLASH，8KV ESD, 闩锁电流200mA, 优秀的EMI & EFT 能力。工业级温度设计,高抗干扰兼容性。 

☆ 超强保密性 无法解密   ☆ICP在线编程 
☆ 工业级别 -45～85℃    ☆内置高精度RC晶振 
☆ 4T时钟周期 速度更快   ☆内置Data flash 

型号 FLASH ROM RAM Data Flash I/O ITERNALRC OSC PWM ICP 封装
W79E4051-DU 4K 256 128 15 20/10MHZ+2% 1*10b Y DIP20
W79E4051-SU 4K 256 128 15 20/10MHZ+2% 1*10b Y SOP20
W79E4051RKG 4K 256 128 15 20/10MHZ+2% 1*10b Y SSOP20
W79E2051-DU 2K 256 128 15 20/10MHZ+2% 1*10b Y DIP20
W79E2051-SU 2K 256 128 15 20/10MHZ+2% 1*10b Y SOP20
W79E2051RKG 2K 256 128 15 20/10MHZ+2% 1*10b Y SSOP20
☆ 
W79E4051/2051系列是一个快速51微控制器，它有可以在系统编程的(ICP)应用程序Flash EPROM，可以使用烧写器在系统中编程。W79E4051/2051系列的指令系统完全与标准的8052指令系统兼容。4K/2K字节主Flash EPROM；128字节的NVM 数据Flash EPROM；256字节RAM； 2个8位和1个2位双向可位寻址的I/O端口；2个16-位定时器/计数器； 1个增强型全双工串口。1 路10位PWM；欠压检测/复位. 1个模拟比较器. 支持9个中断源4级中断；容易编程和校验, W79E4051/2051系列内部的FLASH EPROM程序内存支持电编程读取。一旦程序确定后，用户可以对代码进行保护。 

特性 
全静态8位CMOS加速51微控制器，时钟频率可达24MHZ； 
VDD: 2.4~5.5V 可达 12MHz, 4.5~5.5V 可达24MHz 
可以通过软件选择时钟源: 
- 外部晶振: 最高 24MHz 晶振和时钟信号(通过配置位使能). 
- 片内振荡器: 20/10MHz 2% (通过配置位选择), 恒温恒压 
指令与MCS-51兼容 
4K/2K字节可以在系统编程的(ICP)应用程序 Flash EPROM (AP Flash EPROM). 
256字节片内RAM 
W79E4051/2051 系列具有 128 字节 NVM 数据 EPROM 方便用户存储数据，擦写可达10K次. 
8 页. 16字节为一页. 
1个8位端口(Port1), 1个7位端口 (Port3) ，1个2位端口(P2.0 P2.1 复用为 XT1 & XT2 引脚) 
所有的端口引脚都有直接LED的能力 (20mA) ，所有引脚至多 80mA. 
2个16-位定时器/计数器 
支持9个中断源，4级中断优先 
1个全双工串口，并具有帧错误检测和地址自动识别功能 
1路10位PWM 
1路模拟比较器 
内置电源管理模式 
- 电源复位标志位 
- 欠压检测/复位 
8KV ESD, 闩锁电流200mA, 优秀的EMI & EFT 能力 
工作温度: -40~85℃ 

样品申请与技术支持请联系：胡先生 
手机：13714333279 电话：86-0755-6139 2396-818 
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发表时间:2008年10月26日23:50:43