guest 

 你听说过结合ROM和RAM优点的FRAM吗
如需详细了解请 0755-82127969

FRAM 铁电存贮器技术原理

美国Ramtron公司铁电存贮器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料．这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存取记忆体(RAM) 和非易失性存贮产品的特性．

铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态．晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态．一个我们拿来记忆逻辑中的０，另一个记忆１．中心原子能在常温，没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上．铁电记忆体不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据．

由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电记忆体 (FRAM)拥有高速读写，超低功耗，和无限次写入等超级特性．

存贮器的基础知识

传统半导体记忆体有两大体系：易失性记忆体(volatile memory), 和非易失性记忆体 (non-volatile memory).

易失性记忆体像SRAM和DRAM 在没有电源的情况下都不能保存数据．但这种存贮器拥有高性能，易用等优点．

非易失性记忆体像EPROM, EEPROM和 FLASH 能在断电后仍保存资料．但由于所有这些记忆体均起源自唯读存贮器 (ROM) 技术, 所以您不难想象得到它们都有不易写入的缺点．确切的来说，这些缺点包括写入缓慢，有限写入次数，写入时需要特大功耗等等．

我们可以做一个简单的比较：图一是16K比特铁电存贮器（FRAM）的性能和16K比特EEPROM的比较. FRAM第一个最明显的优点是FRAM可以跟随总线速度 (bus speed) 写入. 比较起EEPROM的最大不同的是FRAM在写入后无须任何等待时间.而EEPROM要等几毫秒 (mS) 才能写进下一笔资料.

铁电存贮器（FRAM)的第二大优点是近乎无限次写入.当EEPROM只能应付十万 (10的5次方) 至一百万次写入时, 新一代的铁电存贮器（FRAM) 已达到一亿个亿次 (10的16次方) 的写入寿命.

发表时间:2004年3月3日15:04:20