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 SST39VF1602功能应用[原创]
功能描述：

特征： 
•有组织的100万x16 ： SST39VF1601/1602 
二百万x16 ： SST39VF3201/3202 
400万x16 ： SST39VF6401/6402 
•单电压读写作业 
-2 .7- 3 .6V之间 
•卓越的可靠性 
-耐力： 1 00,000周期（典型） 
-大于1 00年的数据保留 
•低功耗（典型值在5兆赫 
-有源电流：九毫安（典型值） 
-待机电流： 3微安（典型值） 
-自动低功耗模式： 3微安（典型值） 
•硬件Block-Protection/WP ＃输入引脚 
-顶块保护（前3 2K Word） 
为SST39VF1602/3202/6402 
-底块保护（底部3 2K Word） 
为SST39VF1601/3201/6401 
•部门擦除能力 
-统一第2 K Word部门 
•块擦除能力 
-统一3 2块K Word 
•芯片擦除能力 
• Erase-Suspend/Erase-Resume能力 
•硬件复位管脚（复位＃ ）
•安全识别特征 
-温： 1 28位;用户： 1 28位 
•快速读取时间： 
-7 0纳秒 
-9 0纳秒 
•锁存地址和数据 
•快速擦除和Word程序： 
-部门擦除时间： 1 8毫秒（典型） 
-块擦除时间： 1 8毫秒（典型） 
-芯片擦除时间： 4 0毫秒（典型） 
-用W ord程序时间： 7微秒（典型值） 
•自动收件时间 
-内部V PP代 
•结束收件检测 
-切换钻头 
-数据＃投票 
•的CMOS的I / O兼容性 
• JEDEC标准 
-闪存E EPROM的管脚和指令集 
•套票 
-4 8引脚封装（ 1 2毫米x 2 0毫米） 
-4 8球T FBGA（ 6毫米x 8毫米）的1 600和保管箱 
-4 8球T FBGA（ 8毫米x 1 0毫米）为6 4M
产品描述 
该SST39VF160x/320x/640x设备100万x16插槽，二百万 
x16插槽，以及400万x16分别的CMOS多用途 
闪光加（强积金+ ）制造的海温的专利， 
高性能的CMOS SuperFlash技术。那个 
分裂闸单元设计和厚的氧化层隧道注射器 
实现更好的可靠性和可制造性比较 
替代办法。该SST39VF160x/320x/640x 
写入（计划或擦除） ，以2.7 - 3.6V电源。 
这些装置符合JEDEC标准管脚为 
x16的回忆。 
采用高性能的Word程序，在 
SST39VF160x/320x/640x设备提供了一个典型的词 
计划时间为7 μsec 。这些装置使用或切换位 
＃数据表明轮询完成计划歌剧 
化。为了防止意外写，他们对芯片 
硬件和软件数据保护计划。 
设计，制造，测试和广泛的 
应用，这些器件提供了保证 
典型的耐力100,000周期。数据保存的额定 
在大于100年。
该SST39VF160x/320x/640x装置适合于应用程序 
阳离子，需要方便和经济更新 
计划，配置，或数据存储器。对于所有系统 
应用，大大改善他们的性能和 
可靠性，同时降低能耗。他们inher - 
ently使用更少的能源在擦除和计划比改变， 
本地闪存技术。总能源消费量是 
功能适用于电压，电流，时间和应用 
化。因为对于任何特定的电压范围，对超 
技术使用较少的电流，并计划在较短 
擦除时间，总的能源消耗在任何擦除或 
项目运作不到替代闪存技术， 
策略。这些器件还提高灵活性，同时降低 
成本的计划，数据和配置存储应用程序 
阳离子。 
在SuperFlash技术提供固定的擦除和Pro - 
克倍，独立的人数擦除/编程 
周期发生。因此，系统软件 
或硬件不必须修改或取消被评为是 
必要时替代闪存技术，其 
擦写倍累积 
擦除/编程周期。

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发表时间:2008年11月7日14:27:58