首先肯定你的试验很有意义:
你的电容的交流容抗约为700ohm左右,而且你不断地接通、断开电源时,其上已不断地被充电,所以瞬间用电容短接市电通过其电流越来越小,由此产生的火花就越来越小,较少有机会干扰单片机。而电感虽然也是一种储能元件,但它以磁能方式存储能量,一旦电感离开电源,其储存的磁能便迅速以电的形式释放,产生极大的感生电压(可能比电源电压还要高出许多)从而产生强大的电花干扰mcu。你在mcu附近短路电容器,是将其储存的电荷强迫释放(极端情况下,其电压可达220x1.4142v),也会产生很大的火花干扰。
你的mcu系统抗火花干扰的能力较差,应根据实际应用场合采取措施。
受干扰的mcu多数是程序跑飞,可能会使它的i/o工作大负荷状态,因此发热。
不能手工复位,可能是你的复位电路设计不好。
发表时间:2003年4月4日12:20:31