导航: 老古网老古论坛XMOS公共讨论区XMOS开源项目区单片机程序设计嵌入式系统广告区域
→80C196KC 仿真功能可以实现,但是烧成芯片后不行

* 18438: 80C196KC 仿真功能可以实现,但是烧成芯片后不行

   xdkjason 
xdkjason发表的帖子 

 80C196KC 仿真功能可以实现,但是烧成芯片后不行
80C196KC 仿真功能可以实现,但是烧成芯片后不行(外部扩展的ROM),后发现复位端的电
压总是在2。5V左右,加上拉电阻后在3。5V左右,我用的复位电路是 X5045(高电平复
位),然后用三极管做了个反相器,还是不行,请问大家是什么原因,我参考过老古网上的
关于仿真可以,烧成芯片后不行的相关文章。请高手马上指点。谢谢!

发表时间:2003年2月10日8:56:00

  
回复该帖

本主题共有 1 帖,分页:>>>>>该主题的所有内容[1]条

 *树形目录 只列出部分跟帖的标题以及简单的摘要信息 该主题的部分跟帖如下:

[上一篇帖子]:to tm1300:to tm1300:在这里我经常见到你,发现在某些问题上我们
[下一篇帖子]:我的室友正在做此产品我的室友正在做此产品 /P P bj_hhz@163.com 130