No.94400
作者：hodenshi
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标题：hodenshi:MOS管发热原因[转帖]
摘要：No.94400MOS管发热原因[转帖]
我们常常看MOS管的PDF参数，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很轻易发烧。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册划定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简朴的定义是结到管壳的热阻抗。 1.发烧情况有，电路设计的题目，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发烧的一个原因。假如N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功 ......
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