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→发表看法:[丙丙]FQL40N50技术资料FQL40N50



No.77016
作者:丙丙
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标题:丙丙:FQL40N50技术资料FQL40N50原装现货 [原创]
摘要:No.77016FQL40N50技术资料FQL40N50原装现货 [原创] FQL40N50.PDF文档点击下载
FQL40N50 一般描述 
这些N通道增强型功率场效应 
晶体管是利用飞兆半导体专有的, 
平面条形,DMOS技术。 
这种先进的技术已特别针对 
尽量减少对电阻,提供优越的开关 
性能,经受住了高能量脉冲 
雪崩和减刑模式。这些设备和 
适合高效率开关模式电源,电源 
因数校正,电机驱动器和焊接机。
FQL40N50 特征
•第40A,500V及的RDS(on)= @ VGS电压= 100.11ΩV 
•低栅极电荷(典型值155北卡罗莱纳州) 
•低顾客订位系统(典型值95公积金) 
•快速切换
•100%雪崩测试
•改进的dv / dt的能力
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