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→发表看法:[丙丙]FGH40N60SFD场效应管[原创]



No.77007
作者:丙丙
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标题:丙丙:FGH40N60SFD场效应管[原创]
摘要:No.77007FGH40N60SFD场效应管[原创] FGH40N60SFD一般描述:
新场停止使用IGBT技术,飞兆半导体的新型sesries 
IGBT的现场停止提供最佳的性能 
感应加热,UPS电源,开关电源和PFC应用中 
低导通和开关损耗是必不可少的。
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