No.76996
作者：丙丙
邮件：jian.qiang0615@163.com
ID：143268
登陆：5次
文章数：5篇
最后登陆IP：113.97.123.174
最后登陆：2009/10/29 10:31:35
注册：2009/10/17 11:05:26
财富：130
发帖时间：2009/10/26 15:24:48
发贴者IP：113.90.4.157
标题：丙丙:FQA9N90C技术资料[原创]
摘要：No.76996FQA9N90C技术资料[原创] [QUOTE]FQA9N90C特征：
•第9A，900V，的RDS（on）= @ VGS电压= 101.4ΩV
•低栅极电荷（典型值45北卡罗莱纳州）
•低顾客订位系统（典型值14公积金）
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv / dt的能力 FQA9N90C一般描述：
这些N通道增强型功率场效应
晶体管是利用飞兆半导体专有的，
平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
尽量减少对电阻，提供优越的开关
性能，经受住了高能量脉冲
......
>>返回讨论的主题
| 
导航: 老古网→ 老古论坛→XMOS公共讨论区→XMOS开源项目区→单片机程序设计→嵌入式系统→广告区域→