No.72860
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标题：sumzi007:[原创] N沟 2SK3561 原装正品行货
摘要：No.72860[原创] N沟 2SK3561 原装正品行货
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3561
2SK3561.pdf Switching Regulator Applications
Low drain-source ON resistance: R = 0.75 (typ.)
DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 6.5S (typ.)
fs
= 100 A (V = 500 V) Low leakage current: I
DSS DS
= 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) Enhancement mode: V
th DS D
属性 值 条件
型号 2SK3561
极性 N沟
漏源电压VDSS 500 V
漏电流ID 8 A
漏功耗PD 40 W
门电荷总数Qg (nC) (标准) 28
漏源导通电阻RDS(ON) (最大) @VGS=10V 0.85 Ω ......
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