sbit DQ="P3"^6; //数据传输线接单片机的相应的引脚 
unsigned char tempL="0"; //设全局变量
unsigned char tempH="0"; 
unsigned int sdata;//测量到的温度的整数部分
unsigned char xiaoshu1;//小数第一位
unsigned char xiaoshu2;//小数第二位
unsigned char xiaoshu;//两位小数
bit  fg="1";        //温度正负标志

//******************延时子程序 *******************************

//这个延时程序的具体延时时间是time=i*8+10,适用于小于2ms的延时

//************************************************************
void delay(unsigned char i)
{
for(i;i>  0;i--);
}

//***********************************************************

//                     延时子程序

//************************************************************
void delay1ms()
{
unsigned char i;
for(i=124;i>  0;i--);  //延时124*8+10=1002us
}

//*****************************初始化程序 *********************************//

Init_DS18B20(void) 
{
unsigned char x="0";
DQ=1; //DQ先置高 
delay(8); //稍延时
DQ=0; //发送复位脉冲 
delay(80); //延时（>  480us) 
DQ=1; //拉高数据线 
delay(5); //等待（15~60us) 
x=DQ; //用X的值来判断初始化有没有成功，18B20存在的话X=0，否则X=1 
delay(20); 
} 

//**********读一个字节************//

ReadOneChar(void)  //主机数据线先从高拉至低电平1us以上，再使数据线升为高电平，从而产生读信号
{
unsigned char i="0"; //每个读周期最短的持续时间为60us，各个读周期之间必须有1us以上的高电平恢复期
unsigned char dat="0"; 
for (i=8;i>  0;i--) //一个字节有8位 
{
DQ=1; 
delay(1); 
DQ=0;
dat>  >  =1; 
DQ=1; 
if(DQ) 
dat|=0x80; 
delay(4);
} 
return(dat);
} 

//*********************** **写一个字节**************************//

WriteOneChar(unsigned char dat) 
{ 
  unsigned char i="0"; //数据线从高电平拉至低电平，产生写起始信号。15us之内将所需写的位送到数据线上，
  for(i=8;i>  0;i--) //在15~60us之间对数据线进行采样，如果是高电平就写1，低写0发生。 
  {
   DQ="0"; //在开始另一个写周期前必须有1us以上的高电平恢复期。 
   DQ="dat"&0x01; 
   delay(5); 
   DQ="1"; 
   dat>  >  =1;
  } 
  delay(4);
} 

//读温度值（低位放tempL;高位放tempH;）
ReadTemperature(void) 
{ 
Init_DS18B20(); //初始化
WriteOneChar(0xcc); //跳过读序列号的操作
WriteOneChar(0x44); //启动温度转换
delay(125); //转换需要一点时间，延时 
Init_DS18B20(); //初始化
WriteOneChar(0xcc); //跳过读序列号的操作 
WriteOneChar(0xbe); //读温度寄存器（头两个值分别为温度的低位和高位） 
t ......

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