No.59229 作者:cocochan921 邮件:chenchong@fy-ic.com ID:130953 登陆:1次 文章数:1篇 最后登陆IP: 最后登陆:2012/4/12 16:20:46 注册:2012/4/12 16:20:46 财富:100 发帖时间:2012/4/12 16:24:30 发贴者IP:123.138.73.122 标题:cocochan921:[原创]提供CISSOID耐高温IC解决方案 摘要:No.59229[原创]提供CISSOID耐高温IC解决方案 电源供应 1.HELIOS 线性稳压器 (CHT-LDOP / LDOS / LDNS) a) 高温稳压器-55°C~+225°C (连续工作的合格温度范围) b) 低压差(1V @500mA; 2V@1A) c) VOUT: 2.5; 3.3; 5; 5.5; 9; 10; 12; 13和15V d) IOUT: 最大1A e) ±2%精度(-55°C~+225°C) f) 最大VIN= 30V g) 折返式短路保护 h) 宽载范围( 0~1000µF包括ESR) i) 封装: TO254和晶片形式 寿命测试完成: > 25 000 h @250°C, > 10 000 h @300°C j) 经NASA的-195°C温度测试 k) 经Sandia Nat’ Labs的上达300°C温度测试 l) 记录500°C的工作温度范围 m) 3%的精度(-200°C~+300°C) 2.CHT-VEGA可调式线性稳压器 a) 高温稳压器-55°C~+225°C b) VIN =4.5V~5.5V VOUT =1.2V~3.3V: 可通过外围2个电阻器桥调整,总精确度:±5% [*] [*]注:不包括外围元器件的精确度 c) 输出电流: 最大500mA d) 电源调整率:+0.1% / V典型值 e) 负载调整率: -1% / A 典型值. f) 静态电流(无负载):最大1mA g) 待机电流(关闭模式): 10µA典型值 h) 热关断: 250°C~300°C下有源 i) 电流限制 j) 防闩锁 k) 封装: TDFP16和晶片形式 (其他封装:请联系CISSOID) 3.CHT-RIGEL 可调式线性稳压器 a) 高温稳压器-55°C~+225°C b) 输入电压VIN 4.5V~30.0V c) 输出电压VOUT 1.2V~24.0V:可通过外围2个电阻器桥调整 d) 输出电流:最大100mA e) 静态电流(无负载):最大500µA f) 热关断: 250°C~300°C下有源 g) 电流限制 h) 防闩锁 i) 封装: TDFP16和晶片形式 J) 总精确度: ±5% [*] [*] 注:不包括外围元器件的精确度 4.POLARIS (CHT-BG3M): 电压参考 a) 输出电压VOUT : 2.5V, 3.3V, 5V, 9V, 10V 或12V。 b) 已缓冲 c) 精密度:整个温度范围(-55°C to +225°C)的±2% d) 静态电流: IDD : 700µA 典型值(最大800µA) e) 最大输入电压VIN max = 25V; 最大电压差: 15V f) 最大输出电流IOUT max: 3mA(缓冲) g) 最大负载电容:3nF h) 测试温度范围:-195°C~300°C 5. CHT-MAGMA: PWM控制器 a) 应用:DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS) b) 温度范围-55°C~+225°C c) 恒定频率下电压模式控制 d) 输入电压前馈补偿 à 减少输入电压变化的敏感度 e) 输入电压6V~30V f) 带0.5mV/V电源调整率和0.25mV/°C温度系数的2.5V电压参考 g) 50~500KHz可调时钟或与外部时钟同步 h) 电源良好,输出允许,待机模式(150µA@225°C) 6. ETNA技术: DC-DC转换器 a) -55°C~+225°C b) 采用CISSOID有源元件的参考设计,演示电路板,电路图,BOM表,数据手册和操作说明书 c) 架构:降压转换器 d) 恒定频率(90KHz)下占空比调制 e) 最大输出电流:1A f) 输入电压:最小7V,最大30V g) 输出电压:2.5V上至25V 7. VESUVIO®技术: DC-DC转换器 a) -55°C~+225°C b) 采用CISSOID有源元件的参考设计,演示电路板,电路图,BOM表,数据手册和操作说明书 c) 同步降压转换器 d) 可同步到外部时钟 e) 输出功率:可达50W f) 输入电压:6V~30V g) 输出电压:1.2V~27V h) 效能:可达90% @ 225°C i) C-MAC MicroTechnology公司可提供模块 8. EREBUS®技术: DC-DC转换器 a) -55°C~+225°C b) 采用CISSOID有源元件的参考设计,演示电路板(*),电路图,BOM表,数据手册和操作说明书 c) 同步降压转换器 d) 可同步到外部时钟 e) 两个转换器版本:EREBUS-40和EREBUS-50,最大输入电压分别为40V和50V f) 输出电流: a) Erebus-40:可达8A(最大功率= 280W) b) Erebus-50:可达4A (最大功率=180W) g) 输入电压:12V~50V h) 输出电压:输入电压的10%~90% i) 效能:可达85% @ 225°C 9.STROMBOLI®技术: 隔离DC-DC转换器 a) -55°C~+225°C b) 用CISSOID有源元件的参考设计,1块演示电路板,电路图,BOM表,数据手册和操作说明书 c) 反激式转换器 d) 可实现多种输出电压(如有要求可对称输出) e) 效能可达70%@225°C f) 绝缘电阻> 10MΩ g) 可扩展性架构 h) 电压可达540V i) 功率可达350W 电源转换产品详情 1. CHT-PALLAS: 全桥驱动器 a) 一个芯片(DIL40封装)上装有2个高端驱动器和2个低端驱动器 b) 高温范围: -55°C~+225°C c) 栅极驱动电压:10V d) 高压桥:可达50V e) 高端驱动器由一个自举电容器或一个内设电荷泵,典型应用: i. 功率FET驱动器 ii. DC-DC转换器 iii. SiC J-FET驱动器 2. CHT-HYPERION: 半桥驱动器 a) 高端/低端驱动器应用于 i. DC-DC转换器 ii. 电机控制用半桥驱动器 iii. 逆变器 b) 电气特性 i. 导通电阻Ron ~ 1 Ω ii. 驱动电容量可达1nF • 200°C时转换时间15ns i. 非重叠电路 ii. 浮动自举式高端电压可达50V iii. 欠压锁定 iv. 撬棍电路引脚锁住低端驱动器开通 v. 低端驱动器禁用进入异步模式 vi. 断电端子关闭高端和低端驱动器 信号调理,通用及分立电子元器件 1. EARTH: 功率MOSFET NMOS 80V (CHT-NMOS80xx) a) 温度范围-55°C~+225°C b) 漏源电压VDS可达80V c) 温度稳定性及抗闩锁 d) 转换应用 e) 可提供TO-254封装 f) NMOS8005, NMOS8010: 最大输出电流IOUT max: 5A, 9A (@结温=225°C) 导通电阻RON : 1W, 0.5W (@结温=225°C) 2. SATURN: 功率MOSFET NMOS 40V (CHT-NMOS40xx) a) 温度范围-55°C~+225°C b) 漏源电压VDS可达40V c) 温度稳定性及抗闩锁 d) 转换应用 e) 可提供TO-254封装 f) NMOS4005, 4010, 4020: 最大输出电流IOUT max: 3.9A, 7.6A, 14A (@结温=225°C) 导通电阻RON : 0.8W, 0.4W, 0.25W (@结温=225°C) 3. VENUS: 功率MOSFET PMO ......
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