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No.58857
作者：sz20120406
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标题：sz20120406:非易失性存储器的介绍
摘要：No.58857非易失性存储器的介绍非易失性存储器的介绍
　　非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)的特点是在断电时不会丢失内容。闪速存储器(Flash Memory)就是一类非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点，与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作);与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
　　二、非易失性存储器发展趋势
　　尽管目前非易失性存储器中最先进的就是闪存，但技术却并未就此停步。生产商们正在开发多种新技术，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。
　　非易失性存储器包括铁电介质存储器(FRAM或FeRAM)、磁介质存储器(MRAM)、奥弗辛斯基效应一致性存储器(OUM)以及聚合物存储器(PFRAM)，对数据处理来说，它们都很有前途，因为它们突破了SRAM、DRAM以及闪存的局限性。
　　FRAM 是下一代的非易失性存储器技术，运行能耗低，在断电后能长期保存数据。它综合了RAM高速读写和ROM长期保存数据的特点。这项技术利用了铁电材料可保存信息的特点，使用工业标准的CMOS半导体存储器制造工艺来生产，直到近日才研发成功。但是，FRAM的寿命是有限的，而其读取是破坏 ......

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