No.57213
作者：haohaitao
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标题：haohaitao:IGBT的发展论，国内企业谁能争锋
摘要：No.57213IGBT的发展论，国内企业谁能争锋 [B] SDB—IGBT特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统，三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术，在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品。小编总结了一下三星IGBT技术发展。 三星集团成立于1938年，旗下子公司包含：三星电子、三星SDI、三星SDS、三星电机、三星康宁、三星网络、三星火灾、三星证券、三星物产、三星重工、三星工程、三星航空和三星生命等。 三星电子(Samsung Electronics) 2012年第2季将推出电力芯片产品，这是自1999年三星将电力半导体厂抛售给快捷半导体(Fairchild Semiconductor) 13年后，三星首度推出的电力芯片产品。据南韩电子新闻报导，三星2011年5月与三星综合技术院组成电力芯片共同研究开发小组，才经过3个月时间，已完成制程技术研发，正以飞快的速度推动商业化。 三星相关人员指出，三星已开发出电力芯片中需求骤增的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的生产制程技术，该制程安定化、磊晶成长、封装等技术研发则仍在进行当中，预计2011年内可完成产品开发。三星计划2012年第2季投入IGBT量产，并正式展开电力芯片事业。 三星将研究范围扩大至氮化镓( ......
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