No.56654 作者:shangwo88 邮件:shangwo88@sina.com ID:124592 登陆:7次 文章数:130篇 最后登陆IP:116.77.18.30 最后登陆:2011/9/21 12:17:57 注册:2009/1/13 9:31:31 财富:176 发帖时间:2009/7/8 17:28:15 发贴者IP:116.77.12.50 标题:shangwo88:分享ARM7学习过程中HEx烧写问题!! 摘要:No.56654分享ARM7学习过程中HEx烧写问题!! 有些买了SuperARM2100开发板的用户反映:在按照我们资料的开发步骤编译出HEX文件后,不能烧录进ARM芯片,会出现问题,见下图: 提示说地址超出范围。 -------------------------------------------------------------------------------- 就这一问题下边做个详细回答。希望对初学者有用。 我们知道,ARM7的片内SARM地址是从0X40000000单元开始的,片内FLASH地址是从0X00000000单元开始的。HEX文件本身是包含地址的,他的地址到底从什么开始,这和具体的编译环境有关。见下图: 我们的每个编程模板提供3种变异模式,第一个DebugInRAM是在内部SRAM里调试的,编译出来的HEX文件是以地址0X40000000单元开始的。第二个DebugInFLASH才是在FLASH里调试,编译出来的程序可烧 ......
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