1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；

　　1950年：结型晶体管诞生；

　　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；

　　1951年：场效应晶体管发明；

　　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；

　　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 

　　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；

　　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；

　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；

　　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；

　　1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；

　　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；

　　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；

　　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；

　　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；

　　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；

　　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；

　　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；

　　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；

　　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；

　　1985年：80386微处理器问世，20 ......

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