该sst39vf160x/320x/640x设备1米x16 ，二米， x16和四米分别时， CMOS的多用途闪光的加号（强积金+ ）制造与SST的专有的，高性能CMOS超的技术。那个分裂细胞门的设计和厚氧化物隧道喷油器达到更好的可靠性和可制造性比较与候补的办法。该写入（计划或擦除）与2.7 V到3.6 V的电力供应。
　　这些设备符合JEDEC标准为的回忆。
　　具有高性能的字计划，设备提供一个典型的字计划的时间7 μ秒。这些设备的使用触发位或＃投票站的数据表明，完成计划的歌剧审议。为了防止无心之失写，他们对芯片硬件和软件的数据保护计划。
　　设计，制造，测试和广泛的申请时，这些器件提供与保证典型的耐力100000周期。数据保存是额定在大于100年。
　　该sst39vf160x/320x/640x装置适合于应用阳离子的需要，方便和经济更新计划，配置，或数据存储器。所有系统申请时，他们显着提高性能和可靠性，同时降低功率消耗。他们使用更少的能源，在擦除和程序比改变本土Flash技术。总能源消耗量是一个功能应用电压，电流，和时间的应用审议。因为对于任何特定的电压范围，超技术使用较少，以目前的计划，并已在较短擦除时间，总能源消耗量在任何删除或程序的运作是低于替代闪存技术的。这些装置也提高灵活性，同时也能降低成本计划，数据和配置存储应用阳离子。
　　该技术提供了超定额擦除和亲克时代，独立的人数擦除/程序周期已发生的。因此，系统软件或硬件不须予以修改或撤销评为是必要时与替代Flash技术，其擦除并计划时代的增加与积累擦除/计划周期。

　　特点：

　　组织1M x16: SST39VF1601/1602     2M x16: SST39VF3201/3202        4M x16: SST39VF6401/6402：
　　单电压阅读和书写行动之间，出色的可靠性耐力： 1 00000周期（典型值）大于1 00年的数据保留低功耗（典型值在5兆赫）积极电流：九毫安（典型 ......

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