简介： TPIC6B595是一种单片,高电压,中等电流的功率8位移位寄存器,是专为用户需要相对高的负载功率的系统设计的。该器件包括一个内部的输出电压箱位电路以防止电感瞬变电压。 该器件包括一个8位的串入。并出移位寄存器，它的输出馈入一个8位D型存储寄存器。数据分别在移位寄存器时钟和寄存器时钟的上升沿传输到移位寄存器和存储寄存器。当移位寄存器清零端为高时，存储寄存器传输数据到输出缓冲器。当/SRCLK为低时，输入端的移位寄存器被清零。当输出使能保持为高时，在输出缓冲器中所有的数据保持低电平并且所有的漏极输出是关断的。当/G保持为低时，从存储寄存器到输出缓冲器的数据是透明的。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管的输出端是关断的。当数据为高时，DMOS晶体管的输出端具有吸入电流的能力。串行输出端允许将移位寄存器与其他器件的数据级联起来传送。 输出是低侧漏极开路DMOS晶体管，其输出额定值为50V，并具有150mA连续吸收电流的能力。在Tc=25℃的温度下，每一输出端的电流限制在500 mA。电流的限制值随着结温的升高而降低以实现对器件的附加保护。 TPIC6B595的工作温度范围为0℃至125℃。 特性: 低Rds(on),典型值为5Ω 雪崩能量30Mj 8个功率DMOS晶体管输出，能提供150mA连续电流 　 500 mA电流限制能力 输出箱位电压50V 器件可级联应用 低能耗