简介： MAX5062/MAX5063/MAX5064高频、125V半桥、n 沟道 MOSFET 驱动器可在高压应用中用于驱动高边和低边 MOSFET。各驱动器可以独立控制，并且输入至输出典 型35ns 的传输延迟被匹配在3ns (典型) 之内。高电压工 作，非常小、并且驱动器之间匹配的传输延迟，高源出/ 吸收电流能力，以及热增强型封装等特性使这些器件非 常适合于高功率、高频电信电源转换器。最大125V 的输 入电压范围超出了电信标准所规定的100V 输入瞬态要 求，并留出足够冗余。芯片在VDD与BST之间集成了高 可靠的片上自举二极管，省去了分离的外部二极管。 MAX5062A/C与MAX5063A/C具有两个同相驱动器(参 见选择指南) 。MAX5062B/D与MAX5063B/D具有一路 同相高边驱动器和一路反相低边驱动器。MAX5064A/B 的每个驱动器有两种输入，即可作为反相，也可作为同 相应用。MAX5062A/B/C/D 与MAX5064A 为CMOS (VDD / 2) 逻辑输入。MAX5063A/B/C/D与MAX5064B为 TTL逻辑输入。MAX5064A/B包括一个可调节的先开后 合逻辑，可以在16ns 至95ns 之间设置两个驱动器之间的 死时间。这些驱动器可提供工业标准的8 引脚SO封装和 引脚配置，热增强型8 引脚SO和12 引脚(4mm x 4mm) 薄 型QFN封装。所有器件工作于-40°C至+125°C 的汽车级 温度范围。